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    BDY26 参数 Datasheet PDF下载

    BDY26图片预览
    型号： BDY26
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管， DIFFUSED MESA [NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 253 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BDY26的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDY26的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDY26的Datasheet PDF文件第4页  
    COMSET
    SEMICONDUCTORS
    BDY26, 183 T2
    BDY27, 184 T2
    BDY28, 185 T2
    Collector-Emitter saturation
    Voltage (*)
    I
    C
    =2.0 A, I
    B
    =0.25 A
    V
    CE(SAT)
    BDY26, 183T2
    BDY27, 184T2
    BDY28, 185T2
    BDY26, 183T2
    BDY27, 184T2
    BDY28, 185T2
    BDY26, 183T2
    BDY27, 184T2
    BDY28, 185T2
    A
    B
    C
    A
    B
    C
    BDY26, 183T2
    BDY27, 184T2
    BDY28, 185T2
    BDY26, 183T2
    BDY27, 184T2
    BDY28, 185T2
    A
    B
    C
    -
    -
    -
    300
    400
    500
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.6
    -
    -
    -
    1.2
    -
    -
    -
    45
    90
    180
    -
    V
    V
    (BR)CBO
    Collector-Base Breakdown
    Voltage (*)
    I
    C
    =3 mA
    V
    V
    BE(SAT)
    Base-Emitter Voltage (*)
    I
    C
    =2.0 A, I
    B
    =0.25 A
    -
    -
    -
    55
    65
    90
    20
    45
    82
    -
    V
    V
    CE
    =4 V, I
    C
    =1 A
    h
    21E
    Static Forward Current
    transfer ratio (*)
    V
    CE
    =4 V, I
    C
    =2 A
    15
    30
    75
    10
    -
    f
    T
    Transition Frequency
    V
    CE
    =15 V, I
    C
    =0.5 A,
    f=10 MHz
    MHz
    t
    d
    + t
    r
    Turn-on time
    I
    C
    =5 A,
    I
    B
    =1 A
    I
    C
    =5 A,
    I
    B1
    =1 A,
    I
    B2
    =-1 A
    -
    -
    1
    2
    3.5
    6
    µs
    t
    s
    + t
    f
    Turn-off time
    -
    -
    µs
    (*) Pulse Width
    ≈
    300
    µs,
    Duty Cycle
    ∠
    2.0%
    Page 3 of
    4

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