BD649 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD649
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内容描述：	硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 333 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

SEMICONDUCTORS

BD643/645/647/649/651

Symbol

Ratings

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750

Value

2.5

Unit

=4 A, V

=3 V

Base-Emitter Voltage (*)

=3 A, V

=3 V

=3.0 V, I

=0.5 A

1900

=3.0 V, I

=4 A

DC Current Gain (*)

=3.0 V, I

=3 A

=3.0 V, I

=8 A

1800

=3.0 V, I

=4 A, f=1MHz

Small Signal Current Gain

=3.0 V, I

=3 A, f=1MHz

(*) Pulse Width

≈

300

µs,

Duty Cycle

∠

2.0%

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