BD649 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD649
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内容描述：	硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 333 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

SEMICONDUCTORS

BD643/645/647/649/651

Symbol

Ratings

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

Value

Unit

Base Current

150

Power Dissipation

@ T

< 25°

62.5

Watts

Junction

Temperature

150

°C

-65 to +150

Storage Temperature range

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

thJ-MB

Ratings

From junction to mounting base

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

Value

Unit

K/W

thJ-A

From junction to ambient in free air

K/W

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