CS5166
应用信息：继续
哪里
周期=
1
.
开关频率
迹线1 - GATE （H ） （ 5V / DIV ）
追踪2 - GATE （ L） （ 5V / DIV ）
图21 ：在正常运行显示保证非重叠
边MOSFET栅极驱动器， I - 高和低之间的时间
负载
=
14A.
肖特基二极管的同步FET
对于同步操作，一个肖特基二极管可以是
平行放置，同步FET来进行
当打开电感电流关断开关FET的至
提高工作效率。该CS5166参考电路不
使用这种设备，由于其出色的外观设计。取而代之的是，体
同步FET的二极管用于降低成本和
导通，电感电流。对于在设计工作
在200kHz左右，低的非重叠时间加上
肖特基正向恢复时间可能会做出的好处
此设备不值得的额外费用。电源
由于体二极管损耗在同步MOSFET
传导可估计由下式：
功率= V
bd
×
I
负载
×
导通时间
×
开关频率
昆西
其中，V
bd
= MOSFET的体二极管的正向压降。
对于CS5166演示板：
功率= 1.6V
×
14.2A
×
100ns
×
在200kHz = 0.45W
这是只有1.1 ％的40W被传递到负载。
“下垂”电阻自适应电压定位
自适应电压定位是用来帮助保持输出
把在规定范围内的电压在负载瞬变。对
实现自适应电压定位是“下垂
电阻“必须连接在输出电感器之间
和输出电容和负载。这个电阻进行了全面
负载电流，应选择得使直流和交流
公差范围得到满足。嵌入式PC走线电阻
具有接近零成本implementa-的显着优点
化。然而，这种下垂电阻可以改变因3
原因：1）表面电阻率变化引起的厚
在PCB层的岬变化。 L / W的2）的不匹配，并且
3 ）温度变化。
1 ）电阻片
一盎司铜的厚度变化是
通常是1.15万到1.35万。因此而引起的误差
薄层电阻率是：
1.35 - 1.15
1.25
2)
不匹配，由于L / W
= 16%
该CS5166提供了外部NFET的自适应控制
导通时间由保证典型65ns无过
一圈（如图21所示）的上部和下部之间的
MOSFET栅极驱动脉冲。这个特性消除了
，一对“直通电流”潜在的灾难性影响
条件在此期间，两个FET的行为导致其
过热，自毁，并有可能造成不可逆的
损坏处理器。
的场效应晶体管性能的最重要的方面是RDS
ON
,
其效果调节器效率和场效应管的热MAN-
理的要求。
由MOSFET的功率耗散可估计
如下：
开关MOSFET ：
功率= I
LOAD2
×
RDS
ON
×
占空比
同步MOSFET ：
功率= I
LOAD2
×
RDS
ON
×
（ 1 - 占空比）
占空比=
V
OUT
+ (I
负载
×
RDS
ON FET共舞的
)
V
IN
+ (I
负载
×
RDS
ON FET共舞的
) - (I
负载
×
RDS
ON开关FET的
)
关闭时间电容（C
关闭
)
了C
关闭
定时电容设置的调节关断时间：
T
关闭
= C
关闭
×
4848.5
对于占空比前述方程也可以用来
计算出调节器的开关频率，并选择
C
关闭
定时电容：
C
关闭
=
期
×
（ 1占空比）
4848.5
作为L中的变化和/ W通过由于变化管辖
在PCB制造过程中影响
几何和的功率耗散能力
下垂电阻。由于L时错误/ W不匹配
通常为1 ％
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CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
