电气特性：0°C <牛逼
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125℃ ; 8V < V
CC
< 14V ;
2.8V DAC码（V
ID4
=V
ID2
=V
ID1
=V
ID0
=1, V
ID3
= 0), C
门（H）的
= C
门（L）的
=为3.3nF ，C
关闭
= 330pF的，C
SS
= 0.1μF ;除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
CS5165
s
V
CC
电源电流
操作
睡眠模式
s
V
CC
MONITOR
启动阈值
停止阈值
迟滞
s
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP钳位电压
COMP钳位电流
COMP灌电流
开环增益
单位增益带宽
PSRR @ 1kHz时
s
门（H）和门（L）的
高压电流100mA
低压电流100mA
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
s
故障保护
SS充电时间
SS脉冲周期
SS占空比
SS COMP钳位电压
V
FB
比较低
s
PWM比较器
瞬态响应
1V < V
FB
＆ LT ; V
DAC
（最大导通时间）
到GATE （H）和GATE无负载（L）的
启用= 0V
12
300
20
600
mA
µA
GATE （H ）开关
GATE （H ）不切换
启动 - 停止
3.75
3.65
3.95
3.87
80
4.15
4.05
V
V
mV
V
FB
= 0V
COMP = 1.2V至3.6V ; V
FB
= 2.7V
V
FB
= 2.7V ，调整COMP电压
补偿电流= 50μA
COMP = 0V
V
COMP
=1.2V; V
FB
= 3V; V
SS
＆ GT ; 2.5V
注1
注1
注1
15
0.85
0.4
180
50
0.5
60
0.1
30
1.0
1.0
400
60
2
85
1.0
60
1.15
1.6
800
µA
µA
V
mA
µA
dB
兆赫
dB
测量V
CC
-GATE
测量门
1.6V < GATE < （V
CC
- 2.5V)
(V
CC
- 2.5V ） > GATE > 1.6V
门（H）， < 2V时，GATE （L） > 2V
门（L） < 2V时，GATE （H）， > 2V
抗地线（注1 ）
30
30
20
1.2
1.0
40
40
65
65
50
2.0
1.5
80
80
100
100
115
V
V
ns
ns
ns
ns
kΩ
V
FB
= 0V
V
FB
= 0V
（充电时间/周期）
×
100
V
FB
= 2.7V, V
SS
= 0V
加V
FB
直到没有SS
脉冲和正常的关断时间。
V
FB
= 1.2〜 5V的500ns后
门（H）（后消隐时间）到
门（ H）= （Ⅴ
CC
- 1V ）为1V
1.6
25
1.0
0.50
0.9
3.3
100
3.3
0.95
1.0
5.0
200
6.0
1.10
1.1
ms
ms
%
V
V
100
150
ns
3
CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
