CS5165
绝对最大额定值
工作结温，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0° 〜150℃
焊接温度焊接：
回流焊（ SMD风格只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.60秒以内。上述183ûC ， 230ûC峰
存储温度范围，T
S
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−65°C
至150℃
ESD敏感性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的
引脚符号
引脚名称
V
最大
16V
6V
6V
6V
6V
6V
16V
16V
6V
6V
0V
0V
V
民
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
0V
0V
I
来源
不适用
200µA
10mA
10µA
1mA
1mA
1.5A峰值;
200毫安DC
1.5A峰值;
200毫安DC
100µA
10µA
1.5A峰值
200毫安DC
100mA
I
SINK
1.5A峰值
200毫安DC
10µA
1mA
10µA
50mA
10µA
1.5A峰值;
200毫安DC
1.5A峰值;
200毫安DC
1mA
30mA
不适用
不适用
V
CC
SS
COMP
V
FB
C
关闭
V
ID0-4
门（H）的
门（L）的
启用
PWRGD
保护地
LGND
IC电源输入
软启动电容
补偿电容
电压反馈输入。
关断时间电容
电压ID DAC输入
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
使能输入
电源就绪输出
电源地
逻辑地
封装引脚说明
封装引脚＃
引脚符号
功能
1,2,3,4,6
V
ID0
-V
ID4
电压ID DAC输入。这些引脚内部上拉至5V ，如果不开放。
V
ID4
选择DAC范围。当V
ID4
高（逻辑1 ） ，误差放大器REF-
erence范围为2.14V至3.54V ，具有100mV的增量。当V
ID4
低（逻辑
零） ，误差放大器的参考电压为1.34V至2.09V以50mV的增量。
软启动引脚。从这个引脚LGND电容设定软启动和故障
时序。
关断时间的电容引脚。从这个引脚LGND电容同时设置去甲
发作并延长关闭时间。
输出使能输入。该引脚在内部上拉至1.8V 。逻辑低电平
（ < 0.8V ），该引脚上禁用操作，并将CS5165进入低电流
租睡眠模式。
输入电源引脚。
高边开关FET驱动器引脚。
高电流接地的栅极（H）和门（L）的引脚。
低侧同步FET驱动器引脚。
电源良好输出。集电极开路输出驱动器的低时， V
FB
是选自
调节。主动当使能输入为低电平
参考地。所有的控制电路都参考该引脚。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器来LGND
提供误差放大器补偿。
误差放大器， PWM比较器，以及低V
FB
比较器的反馈输入。
5
7
8
SS
C
关闭
启用
9
10
11
12
13
14
15
16
V
CC
门（H）的
保护地
门（L）的
PWRGD
LGND
COMP
V
FB
2
CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
