CS5165
应用信息：继续
同步MOSFET ：
功率= I
LOAD2
×
RDS
ON
×
（ 1 - 占空比）
占空比=
V
OUT
+ (I
负载
×
RDS
ON FET共舞的
)
V
IN
+ (I
负载
×
RDS
ON FET共舞的
) - (I
负载
×
RDS
ON开关FET的
)
关闭时间电容（C
关闭
)
了C
关闭
定时电容设置的调节关断时间：
T
关闭
= C
关闭
×
4848.5
追踪3 =
门（H）的
(10V/div.)
迹线1 =
门（H）的
- 5V
IN
跟踪4 =
门（L）的
(10V/div.)
跟踪2 =电感开关节点（ 5V / DIV ）。
图18 ：栅极驱动波形描绘了轨至轨摆动。
对于占空比前述方程也可以用来
计算出调节器的开关频率，并选择
C
关闭
定时电容：
C
关闭
=
期
×
（ 1占空比）
4848.5
哪里
周期=
1
开关频率
迹线1 - GATE （H ） （ 5V / DIV ）
追踪2 - GATE （ L） （ 5V / DIV ）
图19 ：在正常运行显示保证非重叠
边MOSFET栅极驱动器， I - 高和低之间的时间
负载
=
14A.
该CS5165提供了外部NFET的自适应控制
导通时间由保证典型65ns无过
上和下MOSFET的栅极驱动器PULS-之间搭接
ES 。这个特性消除了潜在的灾难性
的“直通电流” ，一个条件时生效
这两个FET的行为使他们过热，自
自毁，并可能造成不可逆的损害
处理器。
的场效应晶体管性能的最重要的方面是RDS
ON
,
其效果调节器效率和场效应管的热MAN-
理的要求。
由MOSFET的功率耗散可估计
如下：
开关MOSFET ：
功率= I
LOAD2
×
RDS
ON
×
占空比
肖特基二极管的同步FET
对于同步操作，一个肖特基二极管可以是
平行放置，同步FET来进行
当打开电感电流关断开关FET的至
提高工作效率。该CS5165参考电路不
使用这种设备，由于其出色的外观设计。相反，该
同步FET的体二极管被用于降低
成本，并进行了电感电流。外观设计能操作
阿婷在200kHz左右，低的非重叠时间组合
与肖特基正向恢复时间可能使创造收益
适合此设备不值得的额外费用。该
在同步MOSFET的功耗因
体二极管导通可以由以下来估计
公式：
功率= V
bd
×
I
负载
×
导通时间
×
开关频率
昆西
其中，V
bd
= MOSFET的体二极管的正向压降。
对于CS5165演示板：
功率= 1.6V
×
14.2A
×
100ns
×
在200kHz = 0.45W
这是只有1.1 ％的40W被传递到负载。
13
CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
