CS5106
电气特性：T已
J
= -40 ° C至125°C ，V
SS
= 9〜 16V ，V
5REF
I
负载
= 2毫安， SYNC
OUT
自由运行，除非另外
明智的规定。对于所有规格： UVSD = 6V ， OVSD = 0V ，启用= 0V ，我
LIM(1,2)
= 0,V
FB(1,2)
= 3V ，R
FADJ
= R
DLYSET
= 27.4k�½.
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
s
电流限制电路
I
LIM1
电流限制阈值
电压
I
LIM1
短路阈值
电压
I
LIM1
输入偏置电流
I
LIM2
电流限制
阈值V
I
LIM2
短路
阈值电压
I
LIM2
输入偏置电流
我调整
LIM1
在1.0V - 1.3V至
GATE1变低。
我调整
LIM1
从1.30V - 1.50V至
GATE1跳过2次参考
要同步
出。
我集
LIM1
= 0V 。测量电流
OUT我
LIM1
导致。
我调整
LIM2
在1.0V - 1.3V至
GATE2变低。
我调整
LIM2
从1.30V - 1.50V至
GATE2跳过2次参考
要同步
OUT
.
我集
LIM 2
= 0V 。测量电流输出
我
LIM2
导致。
1.16
1.35
1.24
1.44
1.30
1.51
V
V
0.50
1.16
1.35
1.24
1.44
5.00
1.30
1.51
µA
V
V
0.50
5.00
µA
s
电压反馈控制
RAMP1失调电压
RAMP1输入偏置电流
RAMP2失调电压
RAMP2输入偏置电流
V
FB1
输入阻抗
V
FB2
输入阻抗
s
Gate1,2,2B输出电压
GATE1低状态
GATE2低状态
GATE2B低状态
GATE2B高邦
GATE2高邦
GATE1高邦
V
FB1
= 0V 。调整RAMP1从0V - 0.3V
直到GATE1变低。测量V
RAMP1
.
设置RAMP1 = 0V 。测量电流
出RAMP1领先。
V
FB2
= 0V 。调整从RAMP2
0V -3V直到GATE2变低。
测量V
RAMP2
.
设置RAMP2 = 0V 。测量电流
出RAMP2领先。
测量的输入阻抗。
测量的输入阻抗。
V
SS
= 12V. V
CC
= V
SS
- V
DON
PROGRAM = 0V 。测量GATE1
电压下沉1毫安时。
PROGRAM = 0V 。测量GATE2
电压下沉1毫安时。
PROGRAM = 0V 。测量GATE2B
电压下沉1毫安时。
测量V
CC
- GATE2B电压
当采购为1mA。
测量V
CC
- GATE2电压
当采购为1mA。
测量V
CC
- GATE1电压
当采购为1mA。
0.08
0.13
0.50
0.20
5.00
0.20
V
µA
V
0.08
0.13
60.0
60.0
0.50
120.0
120.0
5.00
220.0
220.0
µA
k�½
k�½
0.15
0.18
0.18
1.65
1.65
1.65
0.80
0.80
0.80
2.00
2.00
2.00
V
V
V
V
V
V
s
传播延迟
I
LIM1
延迟输出GATE1
测量从我延迟
LIM1
去
高GATE1变低。
测量从我延迟
LIM2
去
I
LIM2
延迟输出GATE2
高GATE2变低。
RAMP1延迟从RAMP1输出GATE1措施将延迟
高GATE1变低。
RAMP2延迟从RAMP2输出GATE2措施将延迟
高GATE2变低。
5
80.0
80.0
80.0
80.0
120.0
100.0
115.0
100.0
ns
ns
ns
ns
CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
