欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NE68133-T1B 参数 Datasheet PDF下载

NE68133-T1B图片预览
型号: NE68133-T1B
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 21 页 / 627 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
 浏览型号NE68133-T1B的Datasheet PDF文件第13页浏览型号NE68133-T1B的Datasheet PDF文件第14页浏览型号NE68133-T1B的Datasheet PDF文件第15页浏览型号NE68133-T1B的Datasheet PDF文件第16页浏览型号NE68133-T1B的Datasheet PDF文件第18页浏览型号NE68133-T1B的Datasheet PDF文件第19页浏览型号NE68133-T1B的Datasheet PDF文件第20页浏览型号NE68133-T1B的Datasheet PDF文件第21页  
NE681 SERIES  
NE68139 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
Q1  
CCBPKG  
CCB  
LCX  
Collector  
LBX  
LB  
LC  
Base  
CCE  
CCEPKG  
LE  
CBEPKG  
LEX  
Emitter  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS(1)  
UNITS  
Parameter  
time  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
Parameters  
Q1  
Parameters  
Q1  
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
IS  
BF  
2.7e-16  
185.0  
1.02  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
0.56  
0
NF  
0
volts  
VAF  
IKF  
ISE  
NE  
15.0  
0.750  
0
current  
amps  
0.055  
1.77e-11  
2.1  
0.50  
14.0e-12  
3.0  
TF  
BR  
1.0  
XTF  
VTF  
ITF  
ADDITIONAL PARAMETERS  
NR  
1.0  
25.0  
0.1  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
Infinity  
Infinity  
0
Parameters  
CCB  
68139  
PTF  
TR  
0
0.07e-12  
0.01e-12  
0.88e-9  
0.79e-9  
0.7e-9  
0.3e-9  
1.11  
0
CCE  
LB  
2.0  
EG  
LC  
RE  
0.6  
XTB  
XTI  
LE  
RB  
12.0  
3.0  
CCBPKG  
CCEPKG  
CBEPKG  
LBX  
0.165e-12  
0.165e-12  
0.01e-12  
0.39e-9  
0.39e-9  
0.2e-9  
RBM  
IRB  
RC  
3.7  
KF  
0
1.2e-5  
8.0  
AF  
1.0  
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
1.2e-12  
0.77  
LCX  
LEX  
0.50  
MODEL RANGE  
0.8e-12  
0.27  
Frequency: 0.1 to 3.0 GHz  
Bias:  
Date:  
VCE = 2.5 V to 8.0 V, IC = 0.3 mA to 7 mA  
6/17/96  
(1) Gummel-Poon Model  
 复制成功!