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NE68133-T1B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE68133-T1B
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 21 页 / 627 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE681 SERIES  
NE68135 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
Q1  
CCB_PKG  
0.11pF  
LC_PKG  
0.15nH  
RC_PKG  
0.1 ohms  
0.07pF  
CCB  
LC  
COLLECTOR  
0.96 nH  
RB_PKG  
BASE  
LB_PKG  
0.15nH  
LB  
CCE  
0.01pF  
0.45nH  
0.1 ohms  
CCE_PKG  
0.2pF  
LE_PKG  
0.38nH  
CBE_PKG  
0.05pF  
RE_PKG  
0.1 ohms  
CBEX_PKG  
0.1pF  
CCEX_PKG  
0.2pF  
EMITTER  
(1)  
UNITS  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS  
Parameter  
time  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
Parameters  
IS  
Q1  
2.7e-16  
185.0  
1.02  
15.0  
0.055  
1.77e-11  
2.1  
Parameters  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
Q1  
0.56  
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
BF  
0
NF  
0
0.75  
0
VAF  
IKF  
volts  
current  
amps  
ISE  
0.5  
14e-12  
3
NE  
TF  
BR  
1
XTF  
VTF  
ITF  
MODEL RANGE  
Frequency: 0.05 to 5.0 GHz  
NR  
1
25  
Bias:  
Date:  
VCE = 8.0 V, IC = 7 mA to 30 mA  
11/1/96  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
Infinity  
Infinity  
0
0.1  
0
PTF  
TR  
0.3e-9  
1.11  
0
2
EG  
RE  
0.6  
XTB  
XTI  
RB  
12  
3
RBM  
IRB  
RC  
3.7  
KF  
0
1.2e-5  
8
AF  
1
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
1.2e-12  
0.77  
0.5  
0.8e-12  
0.27  
(1) Gummel-Poon Model  
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