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NE681 参数 Datasheet PDF下载

NE681图片预览
型号: NE681
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 21 页 / 627 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE681 SERIES  
NE68119 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
Q1  
CCBPKG  
CCB  
LCX  
Collector  
LBX  
LB  
Base  
CCE  
CCEPKG  
LE  
LEX  
Emitter  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS(1)  
UNITS  
Parameter  
time  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
Parameters  
Q1  
Parameters  
Q1  
IS  
BF  
2.7e-16  
185.0  
1.02  
15.0  
0.055  
1.77e-11  
2.1  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
0.56  
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
0
NF  
0
VAF  
IKF  
ISE  
NE  
0.75  
volts  
0
current  
amps  
0.5  
TF  
14.0e-12  
ADDITIONAL PARAMETERS  
BR  
1
XTF  
VTF  
ITF  
3
25  
0.1  
0
Parameters  
CCB  
68119  
NR  
1
0.07e-12  
0.01e-12  
1.13e-9  
0.85e-9  
0.18e-12  
0.21e-12  
0.19e-9  
0.19e-9  
0.19e-9  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
Infinity  
Infinity  
0
CCE  
PTF  
TR  
LB  
0.3e-9  
1.11  
0
LE  
2
EG  
CCBPKG  
CCEPKG  
LBX  
RE  
0.6  
XTB  
XTI  
RB  
12  
3
RBM  
IRB  
RC  
3.7  
KF  
0
LCX  
LEX  
1.2e-5  
8
AF  
1
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
1.2e-12  
0.77  
0.5  
MODEL RANGE  
Frequency: 0.05 to 3.0 GHz  
Bias:  
VCE = 2.5 V to 8.0 V, IC = 0.3 mA to 10 mA  
0.8e-12  
0.27  
(1) Gummel-Poon Model