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NE681 参数 Datasheet PDF下载

NE681图片预览
型号: NE681
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 21 页 / 627 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE681 SERIES  
NE68118 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
Q1  
CCBPKG  
CCB  
LC  
LCX  
Collector  
LBX  
LB  
Base  
CCE  
LC  
CCEPKG  
LE  
CBEPKG  
LEX  
Emitter  
(1)  
UNITS  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS  
Parameter  
time  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
Parameters  
Q1  
Parameters  
Q1  
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
IS  
BF  
2.7e-16  
185  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
0.56  
0
NF  
1.02  
15  
0
volts  
VAF  
IKF  
ISE  
NE  
0.75  
0
current  
amps  
0.055  
1.77e-11  
2.1  
0.5  
TF  
14e-12  
BR  
1
XTF  
VTF  
ITF  
3
25  
0.1  
0
ADDITIONAL PARAMETERS  
NR  
1
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
Infinity  
Infinity  
0
Parameters  
CCB  
68118  
0.07e-12  
0.01e-12  
1.16e-9  
1.54e-9  
0.83e-9  
0.09e-12  
0.51e-12  
0.25e-12  
0.18e-9  
0.8e-9  
PTF  
TR  
0.3e-9  
1.11  
0
CCE  
LB  
2
EG  
LC  
RE  
0.6  
XTB  
XTI  
LE  
RB  
12  
3
CCBPKG  
CCEPKG  
CBEPKG  
LBX  
RBM  
IRB  
RC  
3.7  
KF  
0
1.2e-5  
8
AF  
1
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
1.2e-12  
0.77  
0.5  
LCX  
LEX  
0.09e-9  
MODEL RANGE  
0.8e-12  
0.27  
Frequency: 0.05 to 5.0 GHz  
Bias:  
Date:  
VCE = 2.5 V to 8.0 V, IC = 3 mA to 10 mA  
5/29/96  
(1) Gummel-Poon Model  
Note:  
1. This nonlinear model utilized the latest data available. See our Design Parameter Library at www.cel.com for this data.