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    KH563 参数 Datasheet PDF下载

    KH563图片预览
    型号： KH563
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 宽带，低失真驱动器放大器 [Wideband, Low Distortion Driver Amplifier]
    分类和应用： 驱动器放大器
    文件页数/大小： 13 页 / 261 K
    品牌： CADEKA [ CADEKA MICROCIRCUITS LLC. ]
     浏览型号KH563的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KH563的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KH563的Datasheet PDF文件第7页浏览型号KH563的Datasheet PDF文件第8页浏览型号KH563的Datasheet PDF文件第9页浏览型号KH563的Datasheet PDF文件第10页浏览型号KH563的Datasheet PDF文件第12页浏览型号KH563的Datasheet PDF文件第13页  
    KH563
    数据表
    对于图1的电路中，等效输入噪声
    电压可以使用数据表当场计算
    噪音和R
    s
    = 25Ω, R
    L
    =
    ∞.
    回想一下， 4kT = 16E - 21J 。
    转换为所有条款（NV / √Hz的）
    2
    V
    i
    R
    s
    +
    C
    x
    R'
    o
    = R
    x
    + R
    o
    R
    x
    V
    o
    RR
    L
    R'
    o
    - R
    x
    o
    =
    KH563
    -
    R
    f
    R
    g
    e
    n
    =
    =
    2.62nV / Hz的
    (
    2.1
    )
    2
    +
    (
    .07
    )
    2
    +
    (
    .632
    )
    2
    +
    (
    1.22
    )
    2
    +
    (
    .759
    )
    2
    +
    (
    .089
    )
    2
    有：
    R
    o
    = KH563输出阻抗
    和R
    o
    + R
    x
    = R
    L
    通常
    增益精度（ DC ） ：
    一个经典的运放的增益精度主要由设置
    的外部电阻器的精度。该KH563
    也取决于内部特征
    正向电流增益和反相输入阻抗。该
    对于绩效公式
    v
    和R
    o
    随着
    图5戴维南模型是最直接的方式
    评估的绝对增益精度。需要注意的是内部
    温度漂移会降低绝对收益
    微微的一部分升温。还要注意的是对位
    计公差影响两个信号的增益和输出
    阻抗。增益容差向负载必须包括
    这两种效应，以及在负载的任何变化。
    每个参数的表现出的冲击
    在增益为负载公式（A
    L
    ）如下所示。
    增加
    增加
    增加
    增加
    电流增益G
    反相输入R
    i
    R
    f
    R
    g
    增加了
    L
    减少一个
    L
    lncreases一
    L
    减少一个
    L
    热分析讨论，R
    x
    也是非常有用
    在限制短路输出内部电源
    条件。
    KH563图9
    外壳温度
    T
    c
    图9 ：提高输出阻抗
    比赛与频率的关系
    外壳到环境
    θ
    ca
    20∞C/W
    200∞C/W
    特马尔阻抗
    T
    J（下T）
    加大研发
    x
    将
    T
    J（下Q）
    降低实现的
    A
    T
    电压摆幅
    在负载。最低ř
    x
    应使用一致的
    P
    t
    P
    q
    P
    电路
    环境
    与期望输出的匹配。如在讨论
    温度
    解读压摆率：
    在数据表中显示的压摆率适用于电压
    在负载为图1的电路年龄摆动两次这
    值将需要的低输出阻抗
    放大器使用外部匹配电阻来实现
    相同的压摆率的负荷。
    布局建议：
    最快的判罚尺度脉冲响应的沉降要求
    仔细注意电源去耦。
    通常，较大的电解电容器接地
    连接应尽量靠近负载接地（或电缆
    屏蔽连接）作为是合理的，而较高
    高频陶瓷去耦合电容应尽可能靠近
    该KH563的电源引脚尽可能低电感
    接地平面。
    评估板：
    评估电路板（呈现出良好的高频lay-
    出），用于将KH563是可用的。这款主板可能是
    订购的部件编号730019 。
    热分析和保护
    一芯片和金属丝的混合的热分析是
    针对确定的最高结
    温度所有内部晶体管。从总
    内部功耗，此时温度可
    使用环境温度和壳体开发
    与环境的热阻抗。然后，每个
    占主导地位的散热能力的路径被认为是
    确定具有最大升以上的情况下
    温度。
    示的热模型和分析步骤如下。
    作为典型，模型被转换为电模型
    那里的温度电压，功率耗散
    器是电流源，并且热阻抗
    有阻力。请参阅概要设计公式
    和图1为条件的描述。
    应用建议
    驱动容性负载：
    该KH563特别适合用于驱动电容
    负载。不像传统的运算放大器（带有一个感性输出
    阻抗），则KH563的输出阻抗，而
    开始了真正的编程值，去某处
    什么电容在更高的频率。这产生了非常
    性能驱动容性负载稳定。整体
    响应由（1 / RC ）带宽的设置不限
    KH563的输出阻抗和负载电容。它
    因此，有利的是设置一个低R
    o
    与
    约束是非常低R
    f
    值将降低
    失真性能。 ř
    o
    = 25Ω入选
    数据表图。请注意，从失真曲线进入
    容性负载的KH563达到优于
    60dBc的THD （ 10位）驱动2V
    pp
    成50pF的负载
    通过30MHz的。
    提高输出阻抗匹配
    与频率的关系 - 基于R
    x
    :
    使用该环路增益，以提供非零输出
    阻抗提供了一个非常良好的阻抗匹配
    低的频率。如图所示的
    输出回波损耗
    情节，但是，这种匹配降解在较高的频率。
    加在串联的小的外部电阻器与输出
    R
    x
    作为输出阻抗的一部分（和调整
    编程ř
    o
    相应地）提供了更好的
    匹配频率。图9示出了这种方法。
    REV 。 2008年一月1A
    11

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