数据表
最大功率耗散（ W）
为了确定P
D
时，电源中的负载耗散
需要被从发送的总功率减去
耗材。
P
D
= P
供应
- P
负载
供应功率由标准功率计算方程
化。
P
供应
= V
供应
× I
RMS供应
V
供应
= V
S+
- V
S-
动力传递到一个纯电阻负载是：
P
负载
= ((V
负载
)
RMS
2
） / R负载
EFF
的有效负载电阻（ R负载
EFF
）将需要包括
反馈网络的效果。例如，
RLOAD
EFF
在图3将被计算为：
R
L
|| (R
f
+ R
g
)
这些测量是基本的并且是相对容易
与标准的实验室设备进行。对于设计的目的
然而，现有的实际信号电平与负载的知识
阻抗是需要的确定的耗散功率。
在这里， P
D
可以发现，从
P
D
= P
静
+ P
动态
- P
负载
静态功耗可从指定的I导出
S
val-
沿与已知的供电电压，V的UE
供应
。负载功率
可以计算如上述所希望的信号扩增
使用性向：
(V
负载
)
RMS
= V
PEAK
/ √2
( I
负载
)
RMS
= ( V
负载
)
RMS
/ R负载
EFF
动态功率输出范围内主要集中
级驱动的负载。这个值可以被计算为：
P
动态
= (V
S+
- V
负载
)
RMS
× ( I
负载
)
RMS
假设负载中的功率的中间被引用
导轨或V
供应
/2.
图8示出了最大安全功耗
包与环境温度为8和14引线
SOIC封装。
2.5
2
SOIC-14
1.5
COMLINEAR
™
CLC2601 ， CLC3601 ， CLC4601
双，三和四通道的550MHz放大器
1
SOIC-8
0.5
0
-40
-20
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
图8.最大功率降额
较好的热收视率可通过最大化的PC来实现
金属板的封装引脚。然而，被护理 -
FUL输入引脚上的寄生电容。
此外，还增加了气流穿过包可以
有助于减少有效Ө
JA
包的。
在事件的输出瞬间短路到低
阻抗通路，内部电路和输出金属化
设置限制和处理，最大输出电流65毫安。
然而，在这些条件下，延长持续时间可
不能保证最高结温
（ + 150 ° C）不超过。
布局的注意事项
总体布局和电源旁路中扮演重要角色
高频性能。 CADEKA
有评价
板，以作为高频布局和作为引导用
援助设备测试和表征。按照步骤
下面作为高频布局的基础：
•包括6.8μF和0.1μF陶瓷电容器电源
电源去耦
•在0.75英寸电源引脚放置6.8μF电容
•在0.1英寸电源引脚放置0.01μF电容
•下面及周围的部分拆下接地平面，
尤其是靠近输入和输出管脚，以减少对位
SITIC电容
•最小化所有走线长度，减少串联电感
请参考下面的评估板布局更加IN-
形成。
冯1C
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