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BS62LV2008STC-70 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV2008STC-70图片预览
型号: BS62LV2008STC-70
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 319 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS62LV2008  
BSI  
„ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = -40oC to + 85oC )  
WRITE CYCLE  
JEDEC  
PARAMETER  
NAME  
CYCLE TIME : 55ns  
(Vcc = 4.5~5.5V)  
CYCLE TIME : 70ns  
PARAMETER  
(Vcc = 4.5~5.5V)  
DESCRIPTION  
Write Cycle Time  
UNIT  
NAME  
MIN. TYP. MAX.  
MIN. TYP. MAX.  
tAVAX  
tE1LWH  
tAVWL  
tAVWH  
tWLWH  
tWHAX  
tE2LAX  
tWLQZ  
tDVWH  
tWHDX  
tGHQZ  
55  
55  
0
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
70  
70  
0
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tWC  
tCW  
tAS  
Chip Select to End of Write  
Address Setup Time  
--  
--  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
55  
30  
0
--  
70  
35  
0
--  
tAW  
tWP  
tWR1  
tWR2  
tWHZ  
tDW  
tDH  
--  
--  
Write recovery Time  
--  
--  
(CE1,WE)  
(CE2)  
Write recovery Time  
0
--  
0
--  
Write to Output in High Z  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Disable to Output in High Z  
--  
25  
--  
--  
30  
--  
25  
0
30  
0
--  
--  
--  
25  
--  
30  
tOHZ  
tWHOX  
tOW  
End of Write to Output Active  
5
--  
--  
5
--  
--  
ns  
„ SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)  
WRITE CYCLE1 (1)  
t
WC  
ADDRESS  
OE  
(3)  
WR1  
t
(11)  
t
CW  
(5)  
CE1  
(5)  
(11)  
(2)  
CE2  
t
t
CW  
WP  
t
WR2  
t
AW  
(3)  
t
AS  
WE  
(4,10)  
t
OHZ  
D OUT  
t
DH  
t
DW  
D IN  
Revision 1.1  
Jan. 2004  
R0201-BS62LV2008  
6