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    BH62UV1601AIG55 参数 Datasheet PDF下载

    BH62UV1601AIG55图片预览
    型号： BH62UV1601AIG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 217 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV1601AIG55的Datasheet PDF文件第8页  
    BH62UV1601
    Revision History
    Revision No.
    1.0
    1.1
    1.2
    History
    Initial Production Version
    Change I-grade operation temperature range
    - from –25
    O
    C to –40
    O
    C
    Change -55 55ns(Max.) at V
    CC
    =1.65~3.6V to
    55ns(Max.) at V
    CC
    =3.0V and 70ns(Max.) at
    V
    CC
    =1.8V
    Typical value of standby current is replaced by
    maximum value in Featues and Description
    section
    Remove “-: Normal” (Leaded) PKG Material in
    ordering information
    Draft Date
    May 10,2006
    May. 25, 2006
    Oct. 31, 2008
    Remark
    Initial
    R0201-BH62UV1601
    9
    Revision
    1.2
    Oct.,
    2008

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