TISP821xMD过压保护器
TISP8211MD绝对最大额定值，T
A
=
25 °C
R成为我N G -
重复峰值断态电压，V
GA
= 0
重复峰值反向电压，V
GK
= 70 V
非重复性峰值脉冲电流（见注3 ）
2/10
µs
（符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10
µs
电压波
形状）
5/310
µs
（ ITU -T K.44 ， 10/700 μs的电压波形
形状
在K.20 /四十五分之二十一使用）
10/1000
µs
（符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000
µs
电压波
形状）
非重复性峰值通态电流， 50/60赫兹（见注3和4 ）
100毫秒
1
s
5
s
300
s
900
s
结温
存储温度范围
11
6.5
3.4
1.4
1.3
-55到+150
-65到+150
I
PPSM
167
70
60
A
SY M B 0 1
V
DRM
V
RRM
价值
120
-120
ü尼特
V
I
TSM
A
T
J
T
英镑
°C
°C
注： 3.最初的保护必须是为T的热平衡= 25
°C.
该
浪涌
该设备回到初始后可以重复
J
条件。
4.这些不重复的额定终端电流为TISP8210MD和TISP8211MD在一起。装置（ A） - 末端正面
电流值由TISP8211MD和（K）的-terminal负电流值由TISP8210MD进行。
推荐工作条件
见图3
C1, C 2
R1, R 2
门去耦电容
意甲
s
re
s
i
s
tance为Telcordia公司GR -1089 -CORE
民
1 00
10
典型值
22 0
12 .5
最大
单位
nF
Ω
TISP8210MD电气特性， TA = 25℃
参数
I
DRM
I
RRM
V
（BO）
I
H
I
GT
C
O
重复峰值断态电流
反向重复峰值电流
击穿电压
保持电流
门极触发电流
关态电容
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
V
R
= V
RRM
, V
GA
= -70 V
的dv / dt = -250 V / ms的，R
来源
= 300
Ω,
V
GA
= -80 V
(I
K
) I
T
= -1时，的di / dt = 1 / MS ，V
GA
= -80 V
(I
K
) I
T
= -5 A，T
P（ G）
≥
20
µs,
V
GA
= -80 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V, V
D
= ±2 V
- 15 0
5
40
测试条件
民
典型最大单位
-5
5
- 82
µ
A
µ
A
V
mA
mA
pF
TISP8211MD电气特性， TA = 25℃
参数
I
DRM
I
RRM
V
（BO）
I
H
I
GT
C
O
重复峰值断态电流
反向重复峰值电流
击穿电压
保持电流
门极触发电流
关态电容
V
D
= V
DRM
, V
GA
= 0
V
R
= V
RRM
, V
GK
= 70 V
的dv / dt = 250 V / ms的，R
来源
= 300
Ω,
V
GK
= 80 V
(I
A
) I
T
= 1 A， di / dt的= -1 / MS ，V
GK
= 80 V
(I
A
) I
T
= 5 A，T
P（ G）
≥
20微秒，V
GK
= 80 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V, V
D
= ±2 V
20
-5
30
测试条件
最小值典型值
最大
5
-5
82
单位
µ
A
µ
A
V
mA
mA
pF
热特性
参数
R
θ
JA
结到环境的热阻
测试条件
P
合计
= 0.52 W，T
A
= 70
°C,
5
cm
2
,
FR4 PCB
最小典型最大
16 0
ü尼特
°
C / W
2006年1月 - 修订2007年5月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
