TISP821xMD过压保护器
描述
该TISP8210MD / TISP8211MD保护者组合已被设计为保护的双极性电源轨
SLIC组件
（用户线路接口
电路）对电话线路上的过电压引起的雷击和交流电源触点和归纳。这两款器件已经
使用可编程保护技术的最新认识，最大限度地提高性能而设计的。
该TISP8210MD和TISP8211MD是互补的可编程保护装置。该程序或门销（ G1，
G2)
被连接到
的正和负
SLIC
电池供应给保障将跟踪
SLIC
供应水平。集成的晶体管缓冲器是一个
在这种类型的装置作为周围150的电流增益的必要元素降低电池装载到下面5毫安交流中电力线感应或
电源接触条件。另外的基射极结点充当反向操作期间阻塞二极管防止不必要的
负载供电的。
该TISP8210MD / TISP8211MD组合被设计为用于与所述12.5
Ω
BOURNS
®
4A12P - 1AH - 12R5线
保护模块（ LPM ） 。通过此解决方案的应用应该通过Telcordia的
GR-1089-CORE
测试与4A12P - 1AH - 12R5作为
过电流保护和协调的元素。
该TISP
®
设备加LPM解决方案旨在协调工作，并在系统的主保护。
GR-1089-CORE
问题3列出了测试，以
允许三类主要保护：碳块（ 1000伏） ;
气
排出管（ 600 V）和
固态
（ 400 V ） 。此溶液是
设计成与所使用的
GDT
和
固态
选项。在雷电条件下，电流通过12.5
Ω
LPM将48 A（ 600 V /
12.5
Ω),
这是远低于60的TISP8210MD / TISP8211MD结合的能力。
如何订购
设备
TISP8210MD
T I SP 8 2 1 1 0㞒
包
8-SOIC
支架
压纹带绞纱
顺序
TISP8210MDR-S
T为P 82 11 0㞒R- S
标识代码
8210M
8 21 1M
标准产品数量
2500
TISP8210MD绝对最大额定值，T
A
=
25 °C
R成为我N G -
重复峰值断态电压，V
GK
= 0
重复峰值反向电压，V
GA
= -70 V
非重复性峰值脉冲电流（见注1 ）
2/10
µs
（符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10
µs
电压波
形状）
5/310
µs
（ ITU -T K.44 ， 10/700 μs的电压波形
形状
在K.20 /四十五分之二十一使用）
10/1000
µs
（符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000
µs
电压波
形状）
非重复性峰值通态电流， 50/60赫兹（见注1和2 ）
100毫秒
1
s
5
s
300
s
900
s
结温
存储温度范围
-11
-6.5
-3.4
-1.4
-1.3
-55到+150
-65到+150
I
PPSM
-167
-70
-60
A
SY mbol
V
DRM
V
RRM
价值
-120
120
ü尼特
V
I
TSM
A
T
J
T
英镑
°C
°C
注： 1，最初的保护必须是为T的热平衡= 25
°C.
该
浪涌
该设备回到初始后可以重复
J
条件。
2.这些不重复的额定终端电流为TISP8210MD和TISP8211MD在一起。装置（ A） - 末端正面
电流值由TISP8211MD和（K）的-terminal负电流值由TISP8210MD进行。
2006年1月 - 修订2007年5月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
