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TISP3082F3SL 参数 Datasheet PDF下载

TISP3082F3SL图片预览
型号: TISP3082F3SL
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内容描述: 低电压双的双向晶闸管过电压保护 [LOW-VOLTAGE DUAL BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS]
分类和应用: 触发装置硅浪涌保护器
文件页数/大小: 12 页 / 512 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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TISP30xxF3 ( LV ),过电压保护器系列
电气特性T和G或R和G端子, TA = 25
°
℃(除非另有说明)
参数
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
脉冲导通
电压
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
Ø FF-态电流
测试条件
V
D
=
±V
DRM
, 0
°C
& LT ;吨
A
< 70
°C
的dv / dt =
±250
V / ms的,R
来源
= 300
dv / dt的
±1000
V / μs的,线性电压斜坡,
最大斜坡值=
±500
V
R
来源
= 50
的dv / dt =
±250
V / ms的,R
来源
= 300
I
T
=
±5
A,T
W
= 100
µs
I
T
=
±5
A, di / dt的= - / + 30毫安/ MS
线性电压斜坡,斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
=
±50
V
F = 1MHz时, V
d
= 0.1 V均方根,V
D
= 0
F = 1MHz时, V
d
= 0.1 V均方根,V
D
= -5 V
F = 1MHz时, V
d
= 0.1 V均方根,V
D
= -50 V
(见注5和6)
‘3072F3
‘3082F3
‘3072F3
‘3082F3
±0.1
±0.15
±5
±10
140
85
40
±86
±96
±0.6
±3
典型值
最大
±10
±72
±82
单位
µA
V
I
DRM
V
(BO)
V
(BO)
I
(BO)
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
V
A
V
A
KV / μs的
µA
关态电容
82
49
25
pF
注: 6.这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容7.进一步详情载于应用信息部分。
热特性
参数
测试条件
P
合计
= 0.8 W,T
A
= 25
°C
5厘米
2
, FR4 PCB
ð包
SL包装
典型值
最大
160
135
° C / W
单位
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。