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BL S NT
E
TISP3072F3,TISP3082F3
低电压双的双向晶闸管
过电压保护
*R
TISP30xxF3 （ LV ），过电压保护器系列
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
ð包（顶视图）
T
NC
NC
R
1
2
3
4
8
7
6
5
G
G
G
G
设备
‘3072F3
‘3082F3
V
DRM
V
58
66
V
（BO）
V
72
82
NC - 无内部连接
平面钝化结
低断态电流<10
µ
A
额定国际浪涌波形
I
TSP
波形
标准
A
2/10
µs
GR-1089-CORE
80
8/20
µs
IEC 61000-4-5
70
10/160
µs
FCC第68部分
60
ITU -T K.20 / 21
10/700
µs
50
FCC第68部分
10/560
µs
FCC第68部分
45
10/1000
µs
GR-1089-CORE
35
SL包（顶视图）
T
G
R
1
2
3
MD1XAB
设备符号
T
R
.............................................. UL认证组件
SD3XAA
描述
这些低电压双双向晶闸管保护器
旨在保护免受瞬态ISDN的应用
雷击和交流电源线。提供两种电压
变种，以满足电池和保护要求，它们是
保证抑制和抵御国际上市
雷电浪涌的两极。瞬变最初剪辑
通过击穿夹紧，直到电压升高到导通
的水平，这会导致设备撬棍。高撬棍
保持电流防止直流闭锁作为当前消退。
这些单片保护器件被制造在
离子注入的平面结构，以确保精确和匹配
导通控制和几乎透明的系统中
正常操作。
G
端T中，R且G相对应的
A，B和C的替代路线代号
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP30xxF3SL
对于无铅
终止完成
顺序
TISP30xxF3DR-S
TISP30xxF3SL-S
设备
TISP30xxF3
包
D，小外形
SL ，一列直插式
支架
管
磁带和缠绕TISP30xxF3DR
插入XX值对应的72和82的保护电压
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
