BD745C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD745C
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内容描述：	NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 110 K
品牌：	BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]

BD745 ， BD745A ， BD745B ， BD745C

NPN硅功率晶体管

典型特征

典型的直流电流增益

集电极电流

100

TCS635AE

集电极 - 发射极饱和电压

集电极电流

CE （ SAT ）

- 集电极 - 发射极饱和电压 - V

= 10

= 300μS ，占空比< 2 ％

TCS635AF

= 125°C

= 25°C

= -55°C

- 直流电流增益

1·0

0·1

= 4 V

= 300微秒，占空比< 2 ％

0·1

1·0

100

- 集电极电流 - 一个

= -55°C

= 25°C

= 125°C

0·01

0·1

1·0

100

- 集电极电流 - 一个

图1 。

图2中。

最大安全工作区

最大正向偏置

安全工作区

100

SAS635AC

- 集电极电流 - 一个

= 1毫秒，

d = 0.1 = 10%

= 10毫秒，

d = 0.1 = 10%

= 50毫秒，

d = 0.1 = 10%

直流操作

1·0

0·1

BD745

BD745A

BD745B

BD745C

0·01

1·0

100

1000

- 集电极 - 发射极电压 - V

网络连接gure 3 。

1978年8月 - 修订2002年9月

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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