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BD745C 参数 Datasheet PDF下载

BD745C图片预览
型号: BD745C
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内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 110 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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BD745 , BD745A , BD745B , BD745C
NPN硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD745
V
( BR ) CEO
I
C
= 30毫安
I
B
= 0
(见注5 )
BD745A
BD745B
BD745C
V
CE
= 50 V
V
CE
= 70 V
V
CE
= 90 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CE
= 110 V
V
CE
= 50 V
V
CE
= 70 V
V
CE
= 90 V
V
CE
= 110 V
I
首席执行官
I
EBO
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
5V
4V
4V
4V
0.5 A
5A
4V
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= 1 A
I
C
= 5 A
I
C
= 20 A
I
C
= 5 A
I
C
= 20 A
I
C
= 5 A
I
C
= 20 A
I
C
= 1 A
I
C
= 1 A
(见注5和6)
(见注5和6)
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
5
(见注5和6)
40
20
5
1
3
1
3
V
V
150
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
BD745
BD745A
BD745B
BD745C
BD745
BD745A
BD745B
BD745C
BD745/745A
BD745B/745C
45
60
80
100
0.1
0.1
0.1
0.1
5
5
5
5
0.1
0.1
0.5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
h
fe
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
|
h
fe
|
注: 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
1.1
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= 5 A
V
BE (OFF)的
= -4.2 V
I
B(上)
= 0.5 A
R
L
= 6
I
B(关闭)
= -0.5 A
t
p
= 20微秒,直流
2%
典型值
20
350
500
400
最大
单位
ns
ns
ns
ns
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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