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BD244 参数 Datasheet PDF下载

BD244图片预览
型号: BD244
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内容描述: PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 106 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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BD244 , BD244A , BD244B , BD244C
PNP硅功率晶体管
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS634AD
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰,d = 0.1 = 10%
t
p
= 1毫秒, D = 0.1 = 10 %
t
p
= 10毫秒峰,d = 0.1 = 10%
直流操作
-1·0
-0·1
BD244
BD244A
BD244B
BD244C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS633AB
图5中。
4
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP