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BD244 参数 Datasheet PDF下载

BD244图片预览
型号: BD244
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内容描述: PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 106 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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BD244 , BD244A , BD244B , BD244C
PNP硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
V
CE ( SAT )
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
1000
TCS634AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
-10
TCS634AE
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -6 A
-1·0
h
FE
- 直流电流增益
100
10
-0·1
1·0
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-0·01
-0·001
-0·01
-0·1
I
B
- 基极电流 - 一个
-1·0
-10
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·2
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·1
TCS634AF
-1·0
-0·9
-0·8
-0·7
-0·6
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3