TISP61089B高压振铃SLIC保护
推荐工作条件
部件
C
G
TISP61089B门去耦电容
TISP61089B串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
TISP61089B串联电阻为GR -1089 -CORE第一级和第二级浪涌生存
R
S
TISP61089B串联电阻为GR -1089 -CORE内建设端口的浪涌生存
TISP61089B串联电阻为K.20 ， K.21和K.45一个400 V的主协调
保护者
民
100
25
40
8
10
典型值
220
最大
单位
nF
Ω
Ω
Ω
Ω
电气特性， TJ = 25
°
℃（除非另有说明）
参数
I
D
V
（BO）
V
GK （ BO ）
V
F
V
FRM
I
H
I
GKS
I
GT
V
GT
C
KA
Ø FF-态电流
击穿电压
栅极 - 阴极脉冲
击穿电压
正向电压
峰值正向恢复
电压
保持电流
门反向电流
门极触发电流
栅极 - 阴极触发
电压
阴极 - 阳极场外
态电容
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
测试条件
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
民
典型值
最大
-5
-50
-112
12
3
10
-150
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
-5
-50
5
2.5
V
D
= -3 V
V
D
= -48 V
100
50
单位
µA
µA
V
V
V
V
mA
µA
µA
mA
V
pF
pF
2/10
µs,
I
TM
= -100 A， di / dt的= -80 A / μs的，R
S
= 50
Ω,
V
GG
= -100 V
2/10
µs,
I
TM
= -100 A， di / dt的= -80 A / μs的，R
S
= 50
Ω,
V
GG
= -100 V,
（见注4 ）
I
F
= 5 A，T
w
= 200
µs
2/10
µs,
I
F
= 100 A， di / dt的= 80 A / μs的，R
S
= 50
Ω,
（见注4 ）
I
T
= -1时，的di / dt = 1A / MS ，V
GG
= -100 V
V
GG
= V
GK
= V
GKRM
, V
KA
= 0
I
T
= -3 A，T
P（ G）
≥
20
µs,
V
GG
= -100 V
I
T
= -3 A，T
P（ G）
≥
20
µs,
V
GG
= -100 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V，I
G
= 0 ， （见注5 ）
注： 4.二极管的正向恢复和晶闸管的门极脉冲导通（冲）不强烈依赖门供应
电压值（V
GG
).
5.这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
T
A
= 25
°C,
EIA / JESD51-3 PCB ， EIA /
JESD51-2环境下，P
合计
= 1.7 W
民
典型值
最大
120
单位
° C / W
2000年10月 - 修订2008年7月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
