TISP61089B高压振铃SLIC保护
门控保护器（续）
保护电压时，电容器向栅极端子跟踪的长度应被最小化。在保护器阴极布线感应电压
也将增加保护电压。这些电压可以通过所示的路由，通过所述保护SLIC的连接被最小化
图6 。
图9中，其中有脉冲电流上升10 A / μs的速率，显示了积极的栅极电荷（Q
GS
）约0.1
µC.
与0.1
µF
门
去耦电容器使用的，增加栅极供给约为1伏（ = Q
GS
/ C1 ） 。这种变化是在-72 V门极电压，V刚刚可见
浴
.
但是，增加的电压不直接添加到保护的电压作为电源电压变化达到最大值0.4
µs,
当
栅极电流在0.3反转极性，并且所述保护电压峰值更早
µs.
在图9中，峰值钳位电压（V
（BO）
）为-77.5 V，一
5.5 V增加的标称门的电源电压。此5.5 V，增加的电源轨增加当时的总和， （0.5V ），并且
保护电路的阴极二极管，电源轨击穿电压（ 5 V） 。在实践中，使用推荐的220 nF的门去耦电容
会给一个电源轨增加约0.3 V和V
（BO）
约-77.3 V.值
0
电压 - V
-20
VK
VBATH
-40
-60
-80
0.0
0.5
时间 -
µs
AI6XDE
1.0
1.5
1
0
QGS
IG
电流 - 一个
-1
-2
-3
-4
-5
0.0
0.5
时间 -
µs
1.0
1.5
IK
图9.保护快速脉冲钳位和开关波形
在TISP61089B电压应力水平
图10示出了保护装置的电极。包终端指定的闸门，G ，就是晶体管的基极， B，电极连接，所以是
标记为B （G）中。下面结受到电压应力：晶体管的EB和CB ，可控硅的AK （关闭状态）和反并联二极管
（反向阻断） 。这一条款涵盖了必要的测试，以确保路口都不错。
测试晶体管CB和EB ：
的最大电压应力水平为TISP61089B为V
浴
与另外的短期反平行的
二极管的电压过冲，V
FRM
。流出的电流对G端子的测量V
浴
加V
FRM
。可控硅ķ端子被短路到
共用（0V）用于该试验中（参见图10） 。所测量的电流，I
GKS
，为结电流I的总和
CB
我
EB
.
2000年10月 - 修订2008年7月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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