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    AH920Z3-G1 参数 Datasheet PDF下载

    AH920Z3-G1图片预览
    型号： AH920Z3-G1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高灵敏度CMOS霍尔效应锁存 [HIGH SENSITIVITY CMOS HALL-EFFECT LATCH]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 432 K
    品牌： BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
     浏览型号AH920Z3-G1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AH920Z3-G1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AH920Z3-G1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AH920Z3-G1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AH920Z3-G1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AH920Z3-G1的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AH920Z3-G1的Datasheet PDF文件第12页浏览型号AH920Z3-G1的Datasheet PDF文件第13页  
    数据表
    高灵敏度CMOS霍尔效应锁存
    测试电路和测试条件（续）
    AH920
    图10. AH920的测试条件（输出漏电流）
    注9 ：设备的磁场下的说： B<B
    RP 。
    典型性能特性
    4.0
    4.0
    3.5
    V
    CC
    =5V
    V
    CC
    =12V
    3.5
    3.0
    3.0
    I
    CC
    （MA ）
    2.5
    I
    CC
    （MA ）
    T
    A
    =25 C
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    18
    20
    O
    2.5
    2.0
    1.5
    2.0
    1.0
    1.5
    -25
    0
    25
    O
    50
    75
    100
    125
    V
    CC
    (V)
    T
    A
    ( C)
    图11.我
    CC
    与V
    CC
    图12.我
    CC
    与T
    A
    2010年11月
    修订版1.3
    9
    BCD半导体制造有限公司

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