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AH920Z3-G1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AH920Z3-G1
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内容描述: 高灵敏度CMOS霍尔效应锁存 [HIGH SENSITIVITY CMOS HALL-EFFECT LATCH]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 432 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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数据表
高灵敏度CMOS霍尔效应锁存
电气特性
V
CC
= 12V ,T
A
= 25 ℃,除非另有规定。
AH920
参数
电源电压
电源电流
饱和电压
输出漏电流
输出上升时间
输出下降时间
符号
V
CC
I
CC
V
SAT
I
泄漏
t
升起
t
落下
条件
操作
V
CC
= 12V, B<B
RP
V
CC
= 12V, B>B
OP
I
OUT
= 20mA时, B>B
OP
V
OUT
= 20V , B<B
RP
R
L
=1kΩ,C
L
=20pF
R
L
=1kΩ,C
L
=20pF
3.5
典型值
12
3.0
3.0
185
0.1
0.4
0.4
最大
20
5.0
5.0
500
10
2
2
单位
V
mA
mA
mV
µA
µs
µs
磁特性
V
CC
= 12V ,T
A
= 25 ℃,除非另有规定。
参数
工作点
释放点
迟滞
符号
B
OP
B
RP
B
HYS
5
-40
典型值
22
-22
45
最大
40
-5
单位
高斯
高斯
高斯
图4. AH920的磁感应强度
2010年11月
修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司