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    AH287Z4-G1 参数 Datasheet PDF下载

    AH287Z4-G1图片预览
    型号： AH287Z4-G1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 与LOCKED保护两相霍尔效应锁存 [TWO PHASE HALL EFFECT LATCH WITH LOCKED PROTECTION]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 330 K
    品牌： BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
     浏览型号AH287Z4-G1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AH287Z4-G1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AH287Z4-G1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AH287Z4-G1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AH287Z4-G1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AH287Z4-G1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AH287Z4-G1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AH287Z4-G1的Datasheet PDF文件第11页  
    初步数据表
    与LOCKED保护两相霍尔效应锁存
    AH287
    磁滞特性
    14
    14
    12
    12
    10
    10
    DO输出（ V）
    DOB输出（ V）
    8
    8
    6
    6
    4
    4
    2
    2
    0
    -100
    -50
    0
    50
    100
    0
    -100
    -50
    0
    50
    100
    磁（高斯）
    磁（高斯）
    图4. DO输出与磁
    图5. DOB输出与磁
    典型性能特性
    6
    10
    5
    8
    电源电流（mA ）
    4
    电源电流（mA ）
    o
    6
    3
    4
    2
    1
    T
    A
    =25 C
    2
    V
    CC
    =14V
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    18
    20
    0
    -20
    0
    20
    40
    o
    60
    80
    电源电压（ V）
    环境温度（ ℃）
    图6.电源电流与电源电压
    图7.电源电流与环境温度
    2008年5月
    修订版1.0
    7
    BCD半导体制造有限公司

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