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AH287Z4-G1 参数 Datasheet PDF下载

AH287Z4-G1图片预览
型号: AH287Z4-G1
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内容描述: 与LOCKED保护两相霍尔效应锁存 [TWO PHASE HALL EFFECT LATCH WITH LOCKED PROTECTION]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 330 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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初步数据表
与LOCKED保护两相霍尔效应锁存
AH287
磁特性(T
A
=25°C)
参数
工作点
符号
B
OP
GRADE
A
B
C
A
10
5
典型值
最大
50
70
100
单位
高斯
-50
-70
-100
70
-10
-5
高斯
释放点
B
RP
B
C
迟滞
B
HYS
高斯
测试电路
动力
输入
AH287
(前视图)
CT
DO
DOB
GND
S
侧面标
1
2
3
4
R
L
820Ω
R
L
820Ω
N
C
CT
2.2
µ
F
C
L
20pF
C
L
20pF
2008年5月
修订版1.0
6
BCD半导体制造有限公司