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AH276Z4-E1 参数 Datasheet PDF下载

AH276Z4-E1图片预览
型号: AH276Z4-E1
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内容描述: 互补输出霍尔效应锁存 [COMPLEMENTARY OUTPUT HALL EFFECT LATCH]
分类和应用: 输出元件
文件页数/大小: 10 页 / 179 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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数据表
互补输出霍尔效应锁存
磁特性(续)
AH276
+14V
AH276
V
CC
DO DOB GND
S
侧面标
1
2
3
4
R1
820Ω
R2
DO (V
OUT1
)
DOB (V
OUT2
)
C1
C2
N
820Ω
20pF的20pF的
图4.基本测试电路
DO ( V)
16
DOB ( V)
16
14
12
10
8
6
4
2
-20
0
20
40
V
CC
14
12
10
8
6
4
2
V
CC
V
SAT
20
40
V
SAT
-40
-40
-20
0
磁通密度B (高斯)
磁通密度B (高斯)
图5. V
DO
与磁通密度
图6. V
DOB
与磁通密度
2007年4月修订版1.2
6
BCD半导体制造有限公司