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    AH276Z4-E1 参数 Datasheet PDF下载

    AH276Z4-E1图片预览
    型号： AH276Z4-E1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补输出霍尔效应锁存 [COMPLEMENTARY OUTPUT HALL EFFECT LATCH]
    分类和应用： 输出元件
    文件页数/大小： 10 页 / 179 K
    品牌： BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
     浏览型号AH276Z4-E1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AH276Z4-E1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AH276Z4-E1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AH276Z4-E1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AH276Z4-E1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AH276Z4-E1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AH276Z4-E1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AH276Z4-E1的Datasheet PDF文件第9页  
    数据表
    互补输出霍尔效应锁存
    电气特性
    (T
    A
    =25
    o
    C，V
    CC
    = 14V ，除非另有规定）
    参数
    输出饱和电压
    输出漏电流
    电源电流
    输出上升时间
    输出下降时间
    切换时间差
    输出齐纳击穿电压
    热保护温度
    热保护滞后
    符号
    V
    SAT
    I
    OL
    I
    CC
    tr
    tf
    ∆t
    V
    Z
    TSD
    ❇Tsd
    测试条件
    V
    CC
    = 3.5V ，我
    O
    =100mA
    I
    O
    =350mA
    V
    CE
    =16V
    V
    CC
    = 16V ，输出开路
    R
    L
    =820Ω, C
    L
    =20pF
    R
    L
    =820Ω, C
    L
    =20pF
    R
    L
    =820Ω, C
    L
    =20pF
    民
    典型值
    0.3
    0.35
    0.1
    12
    3.0
    0.3
    3.0
    55
    178
    40
    0.6
    10
    16
    10
    1.5
    10
    最大
    单位
    V
    V
    µA
    mA
    µs
    µs
    µs
    V
    o
    AH276
    C
    o
    C
    磁特性
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    参数
    工作点
    符号
    B
    OP
    GRADE
    A
    B
    C
    A
    释放点
    B
    RP
    B
    C
    迟滞
    B
    HYS
    V
    DO
    (V)
    民
    10
    5
    典型值
    最大
    50
    70
    100
    单位
    高斯
    高斯
    高斯
    高斯
    高斯
    高斯
    -50
    -70
    -100
    75
    -10
    -5
    高斯
    关闭状态
    高
    关
    B
    HYS
    打开
    V
    SAT
    导通状态
    N
    B
    RP
    0
    B
    OP
    低
    S
    磁通密度（高斯）
    2007年4月修订版1.2
    5
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