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AS58LC1001SF-25/883C 参数 Datasheet PDF下载

AS58LC1001SF-25/883C图片预览
型号: AS58LC1001SF-25/883C
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内容描述: 128K ×8 EEPROM耐辐射 [128K x 8 EEPROM Radiation Tolerant]
分类和应用: 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 21 页 / 272 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
耐辐射
作为军事
特定网络阳离子
奥斯汀半导体空间层次
奥斯汀半导体类'B'
AS58LC1001
引脚分配
( TOP VIEW )
32引脚CFP (F & SF ) , 32引脚CSOJ ( DCJ )
32引脚SOP ( DG )
RDY / BUSY \\
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES \\
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
高速:为250ns和300ns的
数据保存: 10年
低功耗,有源电流(为20mW / MHz(典型值) ) ,
待机电流( 100μW (MAX))
+ 3.3V单电源+ 3.3V的电源
数据轮询和就绪/忙信号
擦除/写入耐久性(万次的页面模式)
软件数据保护算法
数据保护电路在电源开/关
硬件数据保护与RES引脚
自动编程:
自动页写: 15毫秒( MAX)
128字节的页面大小
概述
奥斯汀半导体公司AS58LC1001是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)中
组织为131 , 072 ×8位。该AS58LC1001能够或
系统电气字节和页式可重编程。
该AS58LC1001实现高速接入,低功耗
消耗,并且通过采用先进的高水平的可靠性
MNOS存储技术和CMOS工艺和电路
工艺和CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个128字节的页编程功能,使其
擦除和更快的写入操作。该AS58LC1001特征数据
轮询和就绪/忙信号,表明擦除完毕,并在
编程操作。
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。
硬件数据保护设置有RES管脚,除了
在WE信号噪声保护和写入开机时抑制
和关闭。软件的数据保护使用JEDEC实施
可选的标准算法。
该AS58LC1001是专为在最高可靠性
苛刻的应用。数据保存期限10年,
擦除/写入耐用性是保证在最短的10,000次
页面模式。
选项
标志
-25
-30
F
306号
SF 305号
DCJ 508号
DG
XT
IT
定时
250ns的访问
300ns的访问
套餐
陶瓷扁平封装
辐射屏蔽陶瓷FP *
陶瓷SOJ
塑料SOP
工作温度范围
-Military ( -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级(-40
o
C至+ 85
o
C)
*
注意:
包盖被连接到地(VSS) 。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
AS58LC1001
1.0版12/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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