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AS58LC1001SF-25/883C 参数 Datasheet PDF下载

AS58LC1001SF-25/883C图片预览
型号: AS58LC1001SF-25/883C
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内容描述: 128K ×8 EEPROM耐辐射 [128K x 8 EEPROM Radiation Tolerant]
分类和应用: 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 21 页 / 272 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58LC1001
交流对于字节擦除和字节电气特性
写操作
参数
地址建立时间
芯片使能写建立时间
把脉冲宽度
7
符号
t
AS
7
0
0
最大
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
μs
ns
μs
μs
t
CS
8
t
CW
t
WP
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
芯片使能保持时间
输出使能写建立时间
输出使能保持时间
写周期时间
字节加载窗口
时间到设备忙
RES \\写建立时间
VCC为RES \\建立时间
t
AH
t
DS
t
DH
7
250
250
150
100
10
0
0
0
10
100
120
100
1
t
CH
t
OES
t
OEH
t
WC
t
BL
t
DB
t
RP
10
t
水库
AC测试条件
输入脉冲电平............................................ 0V至3V
输入上升和下降时间.................................... <20ns
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V ..........................................
输出负载................................................见图1
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
相对于Vss
V
IN
分= -3.0V脉冲宽度<50ns
V
IL
分= -1.0V脉冲宽度<50ns
I
IL
在RES \\ = 100uA的MAX
t
OF
被定义为在其中E的输出变为时间和
开路和数据将不再驱动。
6.使用该设备的长周期比这个值
7.我们\\控制操作
8. CE \\控制操作
9. RES \\针V
IH
为V
H
只有10参考,不测试
Q
100pF
1 TTL门EQ 。
图1
输出负载等效
AS58LC1001
1.0版12/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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