SDRAM
奥斯汀半导体公司
512MB ： 32梅格×16 SDRAM
同步DRAM内存
特点
•全军用温度（ -55°C至125°C ），可处理
•配置：梅格32 ×16 （ 8梅格×16× 4组）
•完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
•内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
•内部银行隐藏行存取/预充电
•可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页
•自动预充电，主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
•自刷新模式（ IT）
• 64毫秒， 8192周期刷新（ IT）
• <24ms 8,192刷新周期（ XT ）
•写恢复（T
WR
= “ 2 CLK ” ）
• LVTTL兼容的输入和输出
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
AS4SD32M16
引脚分配
（ TOP VIEW ）
54引脚TSOP
选项
•
塑料包装 - OCPL *
铜引线框架（铜）
时间（周期时间）
7.5ns @ CL = 3 （ PC133 ）或
7.5ns @ CL = 2 （ PC100 ）
记号
DGC
•
-75
•
工作温度范围
- 工业温度（ -40 ° C至85°C ）
IT
- 工业温度加
（ -45 ° C至+ 105 ° C）
ET
-Military温度（ -55 ° C至125°C ）
XT
梅格32 ×16
CON组fi guration
8梅格×16× 4银行
刷新计数
8K
行寻址
8K （ A0 - A12 ）
银行地址
4 （ BA0 ， BA1 ）
列寻址
1024 (A0-A9)
注意： “\\ ”表示低电平有效。
关键时序参数
速度
时钟
存取时间
GRADE频率CL = 2 ** CL = 3 **
-75
133兆赫
–
5.4ns
-75
100兆赫
6ns
–
*关中心的分型线
** CL = CAS （ READ ）延迟
格局
时间
1.5ns
1.5ns
HOLD
时间
0.8ns
0.8ns
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS4SD32M16
修订版1.1 3/08
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