SDRAM
奥斯汀半导体公司
WRITE（续）
选择提供了输入A0 -A8银行和地址
选择的起始列的位置。输入A10的值
确定自动预充电是否被使用。如果汽车
预充电被选择时，该行被访问将预充电
在写突发的结束;如果自动预充电不
选择，该行将继续开放供后续访问。
上出现的DQ输入数据被写入到存储器阵列
如有出现暗合了DQM输入逻辑电平
的数据。如果一个给定的DQM信号被注册为低，该
相应的数据将被写入到存储器中;如果DQM
信号被登记高电平时，相应的数据输入端将
忽略，并且一写将不会执行该字节/列
位置。
预充电
预充电命令用于关闭打开
排在一个特定的银行或开行的所有银行。该
银行（ S）将可以在接下来的行访问的试样
指定时间（T
RP
）发出预充电命令后。输入
A10决定了所有的银行是否有一个或都将预充电，
一个的情况下，其中只有一个存储体是被预充电，输入
BA0 ， BA1选择银行。否则BA0 ， BA1被视为
“不在乎。 ”一旦一家银行被预充电，因此在闲置
状态，必须先于任何READ激活或写的COM
正在发行的是银行mands 。
自动预充电
自动预充电是一种特性，它执行相同的
上述个别银行预充电功能，
而无需显式命令。这是通过
通过A10启用自动预充电与连词
具体的读或写命令。的预充电
与该读取或写入解决银行/行
命令的完成时自动执行
读或写爆了，除了在全页突发模式，
其中，自动预充电不适用。自动预充电是
非持久的，因为它是已启用或禁用每个
个人读或写命令。
自动预充电可以确保在预充电时，在开始
脉冲串内的最早的有效阶段。用户不得发布
另一个命令，相同的银行，直到预充电时间
(t
RP
）就完成了。这被确定为如果一个明确的
预充电命令发出，在尽可能早的时间，
作为经营之本部分所述的每个突发类型
数据表。
BURST TERMINATE
该BURST TERMINATE命令用于截断
无论是网络连接固定的长度，或整页阵阵。最近
AS4SD32M16
修订版1.1 3/08
AS4SD32M16
注册读或写命令前BURST
TERMINATE命令将被截断，如图中
该数据表的操作部分。
自动刷新（IT & IT +温度选择ONLY）
的正常操作期间，自动刷新时
SDRAM和类似于CAS \\ -before -RAS \\ （ CBR）的
刷新传统的DRAM 。此命令是
非持久性，所以它必须在每次发出刷新
所需。所有活跃的银行之前，必须先发出预充电
一个自动刷新命令。自动刷新
不应该发出命令，直到最小的吨
RP
已
在预充电命令之后满足如图中
操作部分。
寻址是由内部刷新生成
控制器。这使得地址位“不关心”期间
自动刷新命令。 512MB的SDRAM需要8,192
自动刷新周期每64毫秒（T
REF
） ，无论宽度
操作。提供了一个分布式的自动刷新命令
每隔7.81μs将满足刷新要求，并确保
每一行刷新。另外， 8192自动刷新
命令可以在一个脉冲串的最小循环速率发
(t
RFC
） ，每64毫秒一次。
自刷新（IT & IT +温度选择ONLY）
在自刷新命令可以用来保留数据
在SDRAM中，即使该系统的其余部分被断电。
当在自刷新模式中，SDRAM保留数据
无需外部时钟。自刷新命令
开始喜欢和自动刷新命令除CKE是
禁用（ LOW ） 。一旦自刷新命令是
注册，全部投入到SDRAM中成为“不关心”
除CKE的，它必须保持低电平。
一旦自刷新模式时，在SDRAM中规定
其自己的内部时钟，使之执行它自己的自动
刷新周期。在SDRAM必须保持自刷新
模式为一个最小周期等于tRAS的和可以保持在
自刷新模式为超出无限期。
对于退出自刷新的过程需要一个序列
的命令。首先， CLK必须是稳定的（稳定的时钟被定义
因为在时间限制特定网络版的一个信号，骑自行车
时钟脚）前CKE回到高电平。一旦CKE为高电平时，
SDRAM中必须有NOP指令发出（最低
两个时钟），用于TXSR因为需要的时间
正在进行的任何内部刷新完成。
在退出自刷新模式，自动刷新
命令必须发出每7.81μs以下为双方自
刷新和自动刷新使用该行刷新计数器。
自刷新和自动刷新选项可用
随着IT和IT +温度选项。它们不是
可与XT温度选项。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
