AS4SD16M72PBG-s/IT,ET,XT
16M X 72 ， SDR SDRAM ， 3.3V核心/ 3.3V IO
引脚说明
BGA地点
F4, F16,
L2, L13,
符号
CKX
描述
钟： CKX的时钟输入。所有的地址和
控制输入信号进行采样，在正的交叉
的CKX \\边缘。输出数据（DQ的和
DQS）是参照CLKX的上升沿
G4， G16 ，K2， K13
M6
CKEx
时钟使能： CKE控制时钟输入端。 CKE高使，
CKE低禁止时钟输入引脚。驾驶CKE低亲
志愿组织预充电掉电和自刷新
操作或ACT IVE省电。 CKE是同步的
用于掉电出入境，并为自刷新进入
CKE是异步的自刷新退出和禁用
的输出。 CKE必须保持高通量和读
写访问。输入缓冲器是在掉电模式下禁用
输入缓冲器是在自刷新无效。
G1， G13 ，K4， K16
M12
CSX \\
芯片选择： CSX \\ enagles每一个的命令寄存器（S ）
五（5 ）含有词语。所有的命令都被屏蔽时， CSX \\
注册HIGH 。 CSX \\为外部银行的选择
在与多家银行系统。 CSX \\被认为是部分
命令代码。
F4 ，F16 ，G5， G15 ，
K1 ，K12， L2， L13 ，
N7 ， M9
G4， G16 ，K2， K14
M7
RASx \\ ， CASx \\
WEX \\
输入命令： RASx ， CASx和WEX \\定义命令
正在输入
DQMLx ， DQMHx
输入数据掩码。 DM为输入掩码信号为写入数据。
当DQMLx或HX是在高采样输入数据被屏蔽
令状中访问时间。 DM进行采样DQSLx的两边
和DQSHx
E8, E9
BA0 ， BA1
银行地址输入： BA0 ， BA1确定哪家银行的ACT IVE
READ ， WRIT E或预充电命令被应用
地址输入：提供行地址激活命令，
列地址，并自动预充电位（ A10）进行读/ WRIT ê
命令中选择一个位置出整数的存储器阵列的
各银行。 A10预充电命令周期内采样
确定是否在预充电适用于一个银行或
所有银行。吨他解决输入过程中也提供了操作码
一个模式RESIST ER SET命令。
A7， A8，A9 ，A10 ，B7 A0- A11，A12
B8 ，B9， B10 ，C7，C8
C9，C10 ，D7
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