AS4SD16M72PBG-s/IT,ET,XT
16M X 72 ， SDR SDRAM ， 3.3V核心/ 3.3V IO
自动刷新
的正常操作期间，自动刷新时
SDRAM的MCP和类似于CAS \\ -before -RAS \\
（ CBR ）刷新传统的DRAM 。此命令是
非持久性，所以它必须在每个时间发出一个刷新
所需。所有活跃的银行之前，必须先预充电
发出自动刷新命令。 AUTO（自动）
不应该发出刷新命令，直到最低
tRP的已预充电命令后得到满足。
寻址是由内部刷新生成
控制器。这使得地址位在“不关心”
一个自动刷新命令。 256MB的SDRAM MCP
需要8,192自动刷新周期每64毫秒（ TREF ） 。
提供了一个分布式的自动刷新命令每
7.81us将满足刷新要求，并确保每个
连续被刷新。另外， 8192自动刷新
命令可以在一个脉冲串的最小循环速率发
（ tRFC ） ，每64毫秒一次。
在退出自刷新模式时，自动
刷新命令必须发出每7.81us以下
既是自刷新和自动刷新使用
该行刷新计数器。
自刷新
在自刷新命令可以用来保留数据在
对SDRAM的MCP ，即使系统的其余部分是有源
下来。当在自刷新模式中，SDRAM的MCP
保留无需外部时钟数据。自刷新
命令，就像是一个自动刷新命令启动
除CKE被禁用（ LOW） 。一旦自刷新
命令注册，所有输入到SDRAM MCP
成为“不关心”除CKE ，它必须
仍然很低。
一旦自刷新模式时，在SDRAM中提供其
自己的内部时钟，使之执行它自己的自动
刷新周期。在SDRAM MCP必须保持在SELF
刷新模式的最小周期等于tRAS的和
可能会留在自刷新为无限期
时间超出了最低限度。
对于退出自刷新的过程需要一个
命令序列。首先， CLK必须是稳定的（稳定
钟德网络定义为在时间限制的信号自行车
为时钟引脚指定）之前CKE回到高电平。
一旦CKE为高电平时，对SDRAM的MCP必须有NOP指令
命令为TXSR发出（最少两个时钟）
因为需要在完成任何内部的时间
刷新正在进行。
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