SDRAM
奥斯汀半导体公司
COMMANDS
事实表1提供了可用的快速参考
命令。这之后是由每个的书面说明
命令。另外三个真值表出现以下的
操作部分;这些表提供当前状态/下一状态
信息。
COMMAND INHIBIT
该命令禁止功能可以防止新
从由SDRAM中正在执行的命令，不管
在CLK信号是否被使能。在SDRAM是有效
取消选择。操作已在进行中不受影响。
无操作（ NOP ）
NO的操作（NOP）命令用于执行
NOP指令到一个SDRAM中被选择（CS \\是低的） 。这
防止不必要的命令，从过程中被注册
空闲或等待状态。操作已经在进行中是不
的影响。
加载模式寄存器
该模式寄存器通过输入A0 -A11加载（ A12应该是
驱动为低电平） 。看到注册Defini-模式寄存器标题
化部分。加载模式寄存器命令只能
发行时，所有银行都闲着，随后的可执行文件
命令不能发出，直到吨
MRD
得到满足。
AS4SD16M16
活跃
激活命令用来打开（或启动）一行
中用于随后的访问一个特定的银行。对价值
BA0 ， BA1输入选择银行，而提供的地址
在输入A0 -A12选择行。该行仍处于活动状态（或
开），用于访问，直到预充电命令发送给
那家银行。之前，必须发出预充电命令
在同一家银行开立不同的行。
读
READ命令用于启动一个突发的读访问
对活动行。在BA0价值， BA1输入选择
银行，和设置在输入的地址A0 -A8的选择
起始列位置。输入A10的值决定
自动预充电是否被使用。如果自动预充电是
选择时，被访问的行会在年底进行预充电
在读破裂;如果自动预充电没有被选择时，行
将继续开放供后续访问。出现读取数据
在DQS的主题上的DQM的逻辑电平输入2
时钟更早。如果一个给定的DQM信号被注册HIGH时，所述
相应的DQ将高阻两个时钟周期后，如果DQM
信号是LOW注册， DQS的将提供有效的数据。
写
WRITE命令用于启动一个字符组写
访问活动行。在BA0 ， BA1输入的值
真值表1 ：命令和DQM操作
1
功能
COMMAND INHIBIT （ NOP ）
无操作（ NOP ）
ACTIVE （选择银行并激活行）
READ （选择银行和列，然后开始读突发）
WRITE （选择银行和列，然后开始写突发）
BURST TERMINATE
预充电（停用排在银行或银行）
自动刷新或自刷新
（进入自刷新模式）
加载模式寄存器
写使能/输出使能
写禁止/输出高阻
CS \\ RAS \\ CAS \\ WE \\
H
X
X
X
L
H
H
H
L
L
H
H
L
H
L
H
L
L
L
L
L
-
-
H
H
L
L
L
-
-
L
H
H
L
L
-
-
L
L
L
H
L
-
-
DQM
ADDR
的DQ注意事项
X
X
X
X
X
X
X
行/列
X
3
8
行/列
X
4
L / H
L / H
X
X
X
X
L
H
8
行/列有效
X
活跃
CODE
X
X
X
4
5
6, 7
2
8
8
操作码
X
-
活跃
-
高-Z
注意：
1. CKE是高的，除了自刷新显示的所有命令。
2. A0 -A11定义的操作码写入模式寄存器， A12应该被拉低。
3. A0 - A12提供行地址和BA0 ， BA1确定哪些银行被激活。
4. A0 -A8提供列地址; A10 HIGH启用自动预充电功能（非永久），而A10 LOW禁用自动预充电
功能; BA0 ， BA1确定哪些银行正在读取或写入。
5. A10低： BA0 ， BA1确定银行被预充电。 A10高：所有银行预充电和BA0 ， BA1是“不在乎。 ”
6.此命令自动刷新，如果CKE为高电平时，自刷新，如果CKE为低。
7.内部刷新计数器控制行寻址;所有的输入和I / O的“不关心” ，除了CKE 。
8.激活或停用DQS的过程中写入（零时钟延迟） ，并读取（双时钟延迟） 。
AS4SD16M16
修订版1.7 09年3月2日
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
