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AS4SD16M16_09 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS4SD16M16_09
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内容描述: 256 MB : 16梅格×16 SDRAM同步动态随机存取存储 [256 MB: 16 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory]
分类和应用: 存储动态存储器
文件页数/大小: 52 页 / 2104 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SDRAM
奥斯汀半导体公司
功能说明
在一般情况下, 256MB的SDRAM是四银行的DRAM
该工作在3.3V和包括同步接口(所有
信号被登记在时钟信号的上升沿,则
CLK ) 。每个67,108,864位银行的组织为8,192
行了512列16位。
读取和写入访问到SDRAM是突发式;
存取开始在一个选定的位置,并持续一段
在编程序列位置设定的号码。
访问开始以积极的命令的登记,
,然后接着是读或写命令。该
地址位注册与激活命令
用于选择银行和行访问( BA0和
BA1选择银行, A0 - A12选择行) 。地址位
( A0 - A8 )注册的具有读或写重合
命令是用来选择用于起始列位置
突发存取。
之前的正常运行中,SDRAM必须被初始化。
以下各节提供涵盖的详细信息
设备初始化,寄存器定义,命令描述
和设备操作。
选择一个突发长度,突发类型, CAS延迟时间,一个的
操作模式和写突发模式中,如图1 。
该模式寄存器通过负载模式编程
寄存器命令,并会保留存储的信息,直到
则在重新设计或设备断电。
模式寄存器的位M0 - M2指定突发长度, M3
指定脉冲串的类型(顺序或交织) ,M4 - M6
指定CAS延迟, M7和M8指定经营
模式, M9的指定写突发模式,并M10和M11
留作将来使用。地址A12 ( M12 )是不确定的,但
加载模式寄存器的过程中应该被拉低。
该模式寄存器必须当所有银行都空闲,
并且控制器必须等待指定的时间开始之前
随后的操作。要么违反这些要求的
语句将导致不确定的操作。
突发长度
读取和写入访问到SDRAM中被爆为导向,
与脉冲串长度是可编程的,如图
1.突发长度确定列的最大数目
可以为一个给定的READ或WRITE被访问位置
命令。可用的突发长度的1 ,2,4 ,或8的位置
对于两个连续的和交错的脉冲串类型,并一
整页突发可用于顺序类型。在全
页面脉冲串被使用于与突发一起TERMI-
NATE命令生成任意的突发长度。
保留的国家不应该被用来作为未知的操作
化或不符合将来的版本可能会导致。
当发出一个读或写命令,块
列等于脉冲串长度被有效地选择。所有
存取对于突发发生此块中,这意味着
该会爆裂块内包装,如果边界为止。
该时钟是通过A1- A8的唯一选择,当突发长度
被设置为2 ;由A2 -A8时,突发长度设置为4 ,和
由A3 -A8时,突发长度设置为8 。其余
(至少显著)地址位(或多个) (是)用于选择起动
块内的荷兰国际集团的位置。整版阵阵内包装
如果边界到达页。
突发类型
一个给定的脉冲串内的访问可以被编程为
无论是连续或交错;这被称为脉冲串
键入并通过M3位被选中。
存取的脉冲串内的顺序由下式确定
突发长度,突发类型和起始列AD-
穿着,在表1中示出。
AS4SD16M16
初始化
SDRAM的必须启动并在prede网络斯内德初始化
方式。比那些特定网络编辑等业务程序
可能会造成理解过程把网络斯内德操作。一旦电源被应用到
VDD和VDDQ (同时)和时钟稳定(稳定
钟德网络定义为在时间限制的信号自行车
对于时钟管脚)指定,对SDRAM需要100μs的延迟
之前发行不是一个命令以外的任何命令
抑制或NOP 。这为100μs时在某个时候开始
周期和持续至少通过此期间结束时,
COMMAND抑制或NOP指令应适用。
一旦100μs的延迟已经满足与至少一个
COMMAND抑制或NOP命令已经得到了应用,
预充电命令应该被应用。所有银行必须
然后进行预充电,从而将所述设备中的所有银行
空闲状态。
一旦处于闲置状态,两个自动刷新周期必须
预制。在汽车后刷新周期完成后,
SDRAM的准备模式寄存器编程。因为
模式寄存器处于未知状态加电,它应该
之前,应用任何作战指挥被加载。
注册德网络nition
模式寄存器
该模式寄存器用来对网络网元的特定连接的C模式
对SDRAM的操作。这个定义包括
AS4SD16M16
修订版1.7 09年3月2日
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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