我PEM
2.1千兆SDRAM ， DDR2
Gb
奥斯汀半导体公司
AS4DDR232M64PBG
SDRAM ， DDRII引脚TOP VIEW
,
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
DQ1
DQ3
DQ6
DQ7
CAS0\
CS0\
VSS
VSS
CLK3\
NC
DQ56
DQ57
DQ60
DQ62
VSS
1
2
DQ0
DQ2
DQ4
DQ5
LDM0
WE0\
RAS0\
VSS
VSS
CKE3
CLK3
UDM3
DQ58
DQ59
DQ61
DQ63
2
3
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
DQ55
DQ53
DQ51
DQ49
3
4
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
UDM0
CLK0
CKE0
VCCQ
VCCQ
CS3\
CAS3\
WE3\
DQ54
DQ52
DQ50
DQ48
4
5
VSS
VSS
VCC
VCCQ
6
VSS
VSS
VCC
VCCQ
7
A9
A0
A2
A12/NC
8
A10
A7
A5
DNU
BA0
9
A11
A6
A4
DNU
BA1
NC
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
9
10
A8
A1
A3
DNU
11
VCCQ
VCC
VSS
VSS
12
VCCQ
VCC
VSS
VSS
VREF
RAS1\
CAS1\
VCC
VCC
CLK2\
13
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
LDM1
WE1\
CS1\
VSS
VSS
CKE2
CLK2
UDM2
DQ41
DQ43
DQ45
DQ47
13
14
DQ17
DQ19
DQ21
DQ23
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
DQ40
DQ42
DQ44
DQ46
14
15
DQ31
DQ29
DQ27
DQ26
NC
UDM1
CLK1\
VCCQ
VCCQ
RAS2\
WE2\
LDM2
DQ37
DQ36
DQ34
DQ32
15
16
VSS
A
DQ30
B
DQ28
C
DQ25
D
DQ24
E
CLK1
F
UDQS3 LDQS0 UDQS0
LDQS1 UDQS1
UDQS1 \\ LDQS1 \\
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
NC
NC
NC
LDQS3 UDQS3 \\ LDQS0 \\ UDQS0 \\
CLK0\
VSS
VSS
NC
RAS3\
LDM3
NC
VSS
VCC
VCCQ
5
LDQS3\
NC
NC
NC
ODT
NC
NC
VSS
VCC
VCCQ
6
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
7
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VSSQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
8
CKE1
G
VCC
VCC
CS2\
H
J
K
LDQS2 \\ UDQS2 \\ LDQS2
NC
NC
NC
NC
NC
10
NC
NC
VCC
VSS
VSS
11
NC
UDQS2
VCC
VSS
VSS
12
CAS2\
L
DQ39
M
DQ38
N
DQ35
P
DQ33
R
VCC
T
地
阵列电源
D / Q电源
地址
IO DATA
水平REF 。
CNTRL
地址DNU
无人居住
NC
注1 ：
球的位置D9为将来的64M ×64的用途，其中，这将是BANKSELECT2 “ BA2 ”保留。球D10被保留供将来使用
上128M ×64 ，其中它会A13 。
重要注意事项：
建议在没有偏压施加到任意的DNU或NC引脚。它们不连接到任何管芯焊盘但DNU &
NC引脚可短接在一起的软件包。
AS4DDR232M64PBG
修订版1.3 6/09
奥斯汀半导体公司
●
奥斯汀，德克萨斯州
●
512.339.1188
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www.austinsemiconductor.com
2
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
