PEM
奥斯汀半导体公司
AS28F128J3M
Q- FLASH
AC开关特性：
（ VDD = 3.0V -5 ％ / + 10 ％ ， TA =最小/最大温度
经营范围中选择）
符号
参数
写操作
RP \\高价回收到WE \\ （ CEX ）要低
CEX （WE \\）低WE \\ （ CEX ）要高
把脉冲宽度
数据建立到WE \\变高
地址设置到WE \\去高
CEX持有WE \\高
数据保持从WE \\高
地址保持从WE \\高
写脉冲宽高
VPEN安装到WE \\变高
之前读写恢复
WE \\高到STA会低
从有效SRD VPEN举行，STS变高
WE \\高到状态注册忙
块擦除，编程和锁定位性能
写缓冲器字节编程时间（计划时间32字节/ 16个字）
字节/字编程时间
块编程时间
块擦除时间
设置锁定位时间
清除块锁定位时间
计划暂停等待时间阅读
擦除挂起延时时间阅读
只读操作
读周期时间
地址输出延迟
CEX到输出延迟
OE \\到非数组输出延迟
OE \\到阵列输出延迟
RP \\高到输出延迟
CEX到输出中低Z
OE \\输出在低Z
CEX高到输出的高阻
OE \\高到输出的高阻
从地址输出保持， CEX ，或OE \\变化，
以先到为准科幻RST
CEX低字节为\\高或低
BYTE \\到输出延迟
BYTE \\到输出的高阻
CEX高至低CEX
网页地址的访问
复位规格
RP \\脉冲低电平时间
RP \\高，重置过程中块擦除，编程，或
LOCK位配置
TRS
TCS
TWP
TDS
TAS
总胆固醇
TDH
TAH
TWPH
tVPS
tWR的
TSTS
TVPH
TWB
民
1.0
0
70.0
50.0
55.0
0
0
0
30
0
35
0
200
典型值
180
11.20
0.70
0.75
10.00
0.50
25
25
民
115
最大
654
630
1.70
5
75
0.70
30
35
最大
115
115
50
25
210
0
0
35
15
0
10
1,000
1,000
0.0
25
民
35
最大
100
us
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最大
us
ns
ns
ns
us
ns
1
128Mb
单位
笔记
200
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
us
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
us
美国证券交易委员会
us
us
1
1
1
tWED1
tWED2
tWED3
tWED4
tWED5
tWED6
张力腿平台
TLES
TRC
TAA
TACE
TAOE
tAOA
TRWH
TOEC
tOEO
TODC
TODO
TOH
TCB
塔比
tODB
Tcwh
TAPA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
TPLPH
tPHRH
注释开关产品规格：
1.
采样，未经100％测试
AS28F128J3MRG
修订版5.0 04年11月23日
奥斯汀半导体公司保留随时更改产品或修改产品规格与适当的通知的权利
如需更多产品信息请访问了网站
www.austinsemiconductor.com
6
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
