PEM
奥斯汀半导体公司
功能框图：
输入
卜FF器
I / O
CNTL
逻辑
ADDR
缓冲器/
LATCH
128KB的内存块（ 0 ）
128KB的内存块（ 1 ）
128KB的内存块（ 2 ）
128KB的内存块（ 3 ）
X
解码
地址。
计数器
块
抹去
控制
写
卜FF器
AS28F128J3M
Q- FLASH
动力
（目前）
控制
公共汽车
CON组fi guration
注册[ BCR ]
CEX
OE \\
WE \\
RP \\
WP \\
CLK
STS
VPEN
等待
VPP
开关
泵
感测放大器
写/擦除位
比较和
VERIFY
命令
执行
逻辑
[ CEL ]
128KB的内存块（n ）
DQ0-8或
DQ0-15
Y
十二月
Ÿ - 选择
控制
ISM
状态
注册
鉴定
注册
询问
产量
卜FF器
此外，可扩展的指令集[ SCS ]允许一个单一的，
在所有的主机系统简单的软件驱动程序与所有SCS工作
兼容的FLASH存储器设备。南海提供了最快
系统/设备的数据传输速率和最大程度地减少设备和
系统级的实施成本。
以优化处理器的存储器接口，所述装置
可容纳VPEN ，这是BLOCK中切换
擦除，编程或锁定位配置和
此外，可以硬连接到VCC的所有依赖于端
应用程序（S ） 。 VPEN被视为一个输入引脚来启用
擦除，编程和块锁定。当
VPEN比VCC电压锁定（ VLKO ）下，所有的
程序的功能将被禁用。块擦除挂起
模式使用户能够停止块擦除读取数据
从或程序数据的任何其他块。同样，
程序休眠模式允许用户暂停
节目读取数据或从任何非执行代码
暂停块（多个） 。
AS28F128J3MRG
修订版5.0 04年11月23日
VPEN用作输入工作电压为2.7V ， 3.3V或5V电平
应用程序编程。 VPEN在这个Q-闪存器件可以
当连接到地提供数据保护。该引脚还
使编程或擦除闭锁功能/控制
在上电期间的过渡。
该装置是一个偶数扇区化设备架构提供
个别块锁定，可以锁定和联合国锁定
阻止使用部门锁定位命令序列。
状态[ STS ]是一个逻辑信号的输出，给出了一个附加的
内部状态机[ ISM ]活动提供指标
双方的状态和地位屏蔽硬件信号。这
状态指示符的开销最小化，中央处理单元和
系统的功耗。在默认模式中， STS充当
RY / BY \\引脚。当低， STS表明ISM是
执行块擦除程序或LOCK位
配置。当HIGH ， STS表明ISM准备
对于一个新的命令。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
