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    SMJ44C251B-12HJM 参数 Datasheet PDF下载

    SMJ44C251B-12HJM图片预览
    型号： SMJ44C251B-12HJM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×4 VRAM 256K ×4的DRAM 512K ×4的SAM [256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM]
    分类和应用： 内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 57 页 / 1255 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第34页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第35页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第36页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第37页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第39页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第40页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第41页浏览型号SMJ44C251B-12HJM的Datasheet PDF文件第42页  
    VRAM  
    SMJ44C251B  
    MT42C4256  
    Austin Semiconductor, Inc.  
    FIGURE 28: Write-Mode-Control Pseudo-Transfer Timing  
    NOTES:  
    NOTE G: The write-mode-control cycle is used to change the SDQs from the output mode to the input mode. This allows serial data to be written  
    into the data register. This figure assumes that the device was originally in the serial-read mode.  
    Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
    SMJ44C251B/MT42C4256  
    Rev. 0.1 12/03  
    38  

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