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AS58LC1001F-35/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS58LC1001F-35/XT图片预览
型号: AS58LC1001F-35/XT
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内容描述: 128K ×8 EEPROM耐辐射 [128K x 8 EEPROM Radiation Tolerant]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 21 页 / 272 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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EEPROM  
AS58LC1001  
Austin Semiconductor, Inc.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Vcc  
Vss  
I/O0  
I/O7  
Ready/Busy  
High Voltage Generator  
I/O Buffer  
and  
OE\  
Input Latch  
Control Logic and Timing  
CE\  
WE\  
RES\  
A0  
A6  
Y Gating  
Y Decoder  
Address  
Buffer and  
Latch  
X Decoder  
Memory Array  
A7  
A16  
Data Latch  
MODE SELECTION  
CE\  
OE\  
WE\  
RES\  
RDY/BUSY\  
I/O  
MODE  
READ  
VIL  
VIL  
VIH  
VH  
DOUT  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
STANDBY  
WRITE  
VIH  
VIL  
VIL  
X
X
X
High-Z  
DIN  
VIH  
VIH  
VIL  
VIH  
VIH  
X
VH  
VH  
DESELECT  
High-Z  
WRITE  
X
X
X
X
X
---  
---  
---  
---  
INHIBIT  
VIL  
DATA  
Data Out  
(I/O7)  
VIL  
X
VIL  
X
VIH  
X
VH  
VIL  
VOL  
POLLING  
PROGRAM  
High-Z  
High-Z  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS58LC1001  
Rev. 1.0 12/08  
2
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