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AS58C1001DG-25/883C 参数 Datasheet PDF下载

AS58C1001DG-25/883C图片预览
型号: AS58C1001DG-25/883C
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内容描述: 128K ×8 EEPROM EEPROM存储器 [128K x 8 EEPROM EEPROM Memory]
分类和应用: 存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 22 页 / 295 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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EEPROM  
AS58C1001  
Austin Semiconductor, Inc.  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR READ OPERATION  
(-55oC < TC < 125oC; Vcc = 5V +10%)  
Test Conditions  
! Input Pulse Levels:  
0.0V to 3.0V  
! Input rise and fall times:  
! Output Load:  
! Reference levels for measuring timing:  
< 20ns  
1 TTL Gate +100pF (including scope and jig)  
1.5V,1.5V  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR SOFTWARE DATA  
PROTECTION CYCLE OPERATION  
SYMBOL  
UNITS  
PARAMETER  
MIN  
MAX  
µS  
Byte Load Cycle Time  
tBLC  
0.55  
30  
Write Cycle Time  
tWC  
10  
---  
mS  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR DATA\ POLLING OPERATION  
SYMBOL  
tOEH  
UNITS  
ns  
PARAMETER  
MIN  
MAX  
Output Enable Hold Time  
0
---  
Output Enable to Write Setup Time  
Write Start Time  
tOES  
0
---  
---  
10  
ns  
tDW  
150  
---  
ns  
Write Cycle Time  
tWC  
ms  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS58C1001  
Rev. 5.0 7/02  
7
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