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    AS4LC4M16_05 参数 Datasheet PDF下载

    AS4LC4M16_05图片预览
    型号： AS4LC4M16_05
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    内容描述： 4 MEG ×16 DRAM扩展数据输出（ EDO ） DRAM [4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 25 页 / 3754 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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    DRAM  
    AS4LC4M16  
    Austin Semiconductor, Inc.  
    SELF REFRESH CYCLE  
    (Addresses and OE\ = DON’T CARE)  
    NOTES:  
    1. Once tRASS (MIN) is met and RAS\ remains LOW, the DRAM will enter self refresh mode.  
    2. Once tRPS is satisfied, a complete burst of all rows should be executed if RAS\-only or burst CBR refresh is used.  
    AS4LC4M16  
    AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
    Rev. 1.1 6/05  
    23  

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