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AS4LC4M16_05 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS4LC4M16_05
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内容描述: 4 MEG ×16 DRAM扩展数据输出( EDO ) DRAM [4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 25 页 / 3754 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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DRAM  
AS4LC4M16  
Austin Semiconductor, Inc.  
EDO-PAGE-MODE READ EARLY WRITE CYCLE  
(Pseudo READ-MODIFY-WRITE)  
NOTES:  
* tRASP (MAX) = 80,000ns for XT temperature version.  
AS4LC4M16  
AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
Rev. 1.1 6/05  
19  
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