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AS4DDR232M64PBG-38/ET 参数 Datasheet PDF下载

AS4DDR232M64PBG-38/ET图片预览
型号: AS4DDR232M64PBG-38/ET
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内容描述: 32Mx64 DDR2 SDRAM集成塑封微电路 [32Mx64 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 28 页 / 363 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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iPEM  
2.1 Gb SDRAM-DDR2  
Austin Semiconductor, Inc.  
AS4DDR232M64PBG  
SDRAM-DDRII PINOUT TOP VIEW  
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A
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DQ0  
DQ14  
DQ15  
VSS  
VSS  
A9  
A10  
A11  
A8  
VCCQ VCCQ DQ16  
DQ17  
DQ31  
VSS  
A
B
C
D
E
F
DQ1  
DQ3  
DQ6  
DQ7  
CAS0\  
CS0\  
VSS  
VSS  
CLK3\  
NC  
DQ2  
DQ4  
DQ12  
DQ10  
DQ8  
DQ13  
DQ11  
DQ9  
VSS  
VCC  
VSS  
VCC  
A0  
A2  
A7  
A5  
A6  
A4  
A1  
A3  
VCC  
VSS  
VSS  
VCC  
VSS  
VSS  
DQ18  
DQ20  
DQ22  
LDM1  
WE1\  
CS1\  
VSS  
DQ19  
DQ21  
DQ23  
VSS  
DQ29  
DQ27  
DQ26  
NC  
DQ30  
DQ28  
DQ25  
DQ24  
CLK1  
CKE1  
VCC  
DQ5  
VCCQ VCCQ A12/NC DNU  
DNU  
BA1  
NC  
DNU  
LDM0  
WE0\  
RAS0\  
VSS  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
DQ55  
DQ53  
DQ51  
UDM0 UDQS3 LDQS0 UDQS0  
BA0  
LDQS1 UDQS1 VREF  
UDQS1\ LDQS1\ RAS1\  
CLK0 LDQS3 UDQS3\ LDQS0\ UDQS0\  
VSS  
UDM1  
CLK1\  
VCCQ  
VCCQ  
RAS2\  
WE2\  
LDM2  
DQ37  
DQ36  
DQ34  
G
H
J
CKE0  
VCCQ  
VCCQ  
CS3\  
CLK0\ LDQS3\ VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
CAS1\  
VCC  
VSS  
G
H
J
VSS  
VSS  
NC  
NC  
NC  
VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ  
VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ  
VSSQ VSSQ VSSQ VSSQ  
VSS  
VSS  
VCC  
VSS  
VSS  
VCC  
K
L
CKE3  
CLK3  
NC  
CLK2\  
CKE2  
VSS  
CS2\  
K
L
CAS3\ RAS3\  
ODT  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
LDQS2\ UDQS2\ LDQS2 CLK2  
VSS  
CAS2\  
DQ39  
DQ38  
DQ35  
DQ33  
VCC  
M
N
P
R
T
DQ56 UDM3  
WE3\  
DQ54  
DQ52  
DQ50  
LDM3  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
UDM2  
VSS  
M
N
P
R
T
DQ57  
DQ60  
DQ62  
DQ58  
DQ59  
DQ61  
NC  
UDQS2 DQ41  
DQ40  
DQ42  
DQ44  
VSS  
VCC  
VSS  
VCC  
VCC  
VSS  
VCC  
VSS  
DQ43  
DQ45  
VSS  
1
DQ63  
DQ49  
DQ48 VCCQ VCCQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
VSS  
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VSS  
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DQ47  
DQ46  
DQ32  
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15  
Ground  
Array Power  
CNTRL  
D/Q Power  
Address  
Data IO  
NC  
Level REF.  
ADDRESS-DNU  
UNPOPULATED  
Note 1: Ball location D9 is reserved for future use on 64M x 64 in which it will be BANKSELEꢁT2 ‘BA2’. Ball D10 is reserved for future use  
on 128M x 64 in which it will be A13.  
Important Note: It is recommended that no bias be applied to either the DNU or Nꢁ pins. They are not connected to any die pad but DNU &  
Nꢁ pins may be shorted together in package.  
Austin Semiconductor, Inc.  
Austin, Texas 512.339.1188 www.austinsemiconductor.com  
AS4DDR232M64PBG  
Rev. 1.3 6/09  
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