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    AS4C4M4DG-7/XT 参数 Datasheet PDF下载

    AS4C4M4DG-7/XT图片预览
    型号： AS4C4M4DG-7/XT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M ×4 CMOS的DRAM快速页面模式， 5伏 [4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 5 VOLT]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 19 页 / 2644 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AS4C4M4DG-7/XT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4C4M4DG-7/XT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4C4M4DG-7/XT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4C4M4DG-7/XT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS4C4M4DG-7/XT的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AS4C4M4DG-7/XT的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AS4C4M4DG-7/XT的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AS4C4M4DG-7/XT的Datasheet PDF文件第12页  
    Meg
    16 Me g FPM DRAM
    Austin Semiconductor, Inc.
    WRITE CYCLE (EARLY WRITE) D
    OUT
    = OPEN
    AS4C4M4
    AS4C4M4
    Rev. 1.1 06/05
    Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
    8

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